Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 [ 167 ] 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

Значение

Режим

измерения

Буквеииое

щ

Параметр

обозначение

м а 1

а> о п о с

я S x

ш го

<:

s>

обратный ток эмиттера, мА:

Г=25 °С

т=85°С КТ976А

Г=125 С 2Т976А

Индуктивность внутреннего LC-звена, нГи

Емкость внутреннего ДС-звена*, пФ

Индуктивность эмиттерного

0, 26 140

0,92

вывода (/=1 мм), иГи

1 ,55

Индуктивность коллекторного

вывода (/=1 мм)*, нГн

0,66

Индуктивность базового вывода

0=1 мм)*, иГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - база 50 в

Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 -в

ВЧ входная мощность...... 30 Вт

КСВН коллекторной цепи ((/jg 24 в,

7 50°С, /=1000 МГц) в течение 3 с:

Явыг35 Вт........

РыхЗО Вт........

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Тк<40°С) .... Тепловое сопротнвлеине переход - корпус 1

Температура перехода ......

Температура корпуса:

2Т976А .........

КТ976А .........

Температура окружающей среды:

2Т976А.........от

КТ976А ......от

75 Вт ,7 °С/Вт 160 С

125 °С 85 °С

-60 С до = 176°С -40°С до к=85°С

Прн Г >40С Як шах [Вт] = (160 -Гк)/1,6.

Пайку выводов транзистора допускается производить яа рас- оянни не менее 1 мм от корпуса. Температура пайки не выше °с в течение не более 5 с.



70 60 50 hO

го о

2TS76/!, К Т37 6А

1ГГц -28 8

140 jo

по 60

100 50

80 40

60 30

40 20

20 10

2 Т316я, НТ976Я

Рвых

f -- 400 МГц

гвв

Рвх.Вт

100 80

60 40 20

Кур, дБ 12

10 8 6 4

2T076fl, ПТ976Я

Рвых SOВт Uj 28 В

5 4 3

4 00

800 f, МГи,

гтзтвп

ВТ3 7вд

/ 300 МГЦ -- 70S

гг 2;

20 13 18 17 16

Угтззея, /17976я

f =300 МГц

С ,пФ 240

10 12 V,fs8

200 160 120 80 40

гтзтвя,

КТ976Я

f -- JOмгц

10 20 30 40 У/<6В




2T37S

I IMIM

(ОЛ-в-0051)нГн

L4 ! 61 = I мм

15 U 3, В

2T977A

Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-плаиарвуе п-р-п генераторные. Предназначены для применения в автогенераторах в схеме ОК на частотах 0,6-1,6 ГГц при напряжении питания 32 В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса транзистора ие более 2 г.

2от1.03,г



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 [ 167 ] 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184