Главная
>
Приборы мощных транзисторов
Режим мереная 32 40 32 45 45 Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - база 50 В Постоянное напряжение эмиттер - база . 3 В Импульсный ток коллектора (тиЮ мкс, QlOO, Гк<85°С)....... 8 А Средняя рассеиваемая мощность в импульсном режиме (ти<10 мкс, QlOO, Гк<85°С)2......... 200 Вт Температура перехода ...... 175°С Температура корпуса...... 125 °С Температура окружающей среды ... от -60 °С до Гк = 125°С При Г >85°С /китах [А 2 При Г >85°С Як в max = (175-Г )/П,2. Вт]==(175-Г ) ?т,и. г,и = 4,8 Q +0,139(1-У т [°С/Вт]. Допускается пайка выводов иа расстоянии 1 мм от корпуса при температуре ие более 150 °С. Рвых.и.В га 25 JO JS i/ g ,e
JO 0
50 40 JO 20 10 2ГЭ77/* JJhs.k ob Ги = ГОмпс a -- wo 0 20 Z5 JO 35 U,g ,B O.h O.S 0,8 1.0 1,1 /,ГГц
Ptb,x, ,Br 90 70 BO 50 40
20 23 30 40 1 ,Б,В -SO -JO 0 30 60 T.C 2Т979А Транзисторы кремниевые эпитаксиалыю-пламрные п-р-п геиер торные Предназначены для применения в усилителях мощности, умножц телях частоты и автогенераторах на частотах 0,7-1,4 ГГц при пряжении питания 28 В п непрерывном режиме и 35-40 в импульс ном режиме Корпус металлокерамический с полосковыми выводами н мон. тажиым пинтом Внутри корпуса имеются согласующие Двухзвенныё LC-звенья на входе и выходе транзистора. .Масса транзистора це более 5 г Электрические параметры Параметр Буквенное обозн ачение Значение Режим измерения Выходная мощность (/=1,3 ГГц), Вт Коэффициент усиления но мощности, дБ: / = 1,3 ГГц, Piiui = 50 Вт /= ,3 ГГц, Pbui = 30 Вт Коэффициент полезного действия коллектора (/=1,3 ГГц, Р ы1 = -50 Вт), % Обратный ток коллектора, мА: Г = 25 С Г=125 -С Обратный ток эмиттера, мА КБО ЭБО 7 52 i, 5 1 00 200 28 20 28 20
|