Средняя рассеиваемая мощность в динами

ческом режиме (Гк<25°С)

Тепловое сопротивление переход - корпус

Температура перехода .....

Температура корпуса .....

Температура окружающей среды

50 В 45 В 3,5 В 5 А

10 А 2 А

75 Вт 2 °С/Вт 175 °С 125 °С от -60 °С до Г = 125 °С

При Г >25°С Рк.сртах [Вт] = (175-Г ),2.

80 70 60

50 J0

tlyp, д6

10 3

J0 П

60

0 Ре х.Вг

70 60 50

Постоянное напряжение коллектор - база:

Гкгз-с.......

Г = -60 °С

Постоянное напряжение эмиттер - база

Постоянный ток коллектора

Импульсный ток коллектора (ти20 мкс

Qm........

Постоянный ток базы

70 60 SO 40 30

24- Щв.В

Рвь>х,нВг

zna то

т по

100 80

2Г9Т9Л

Т - to Мкс а 00 Унб - 35В

ex..8т

48 47

Ps... Вт

ГгТ3798

Пайка выводов допускается на расстоянии от корпуса 3 мм Р Г<260°С и 1 мм при -Г<150°С.

р-п-р

2Т914А, КТ914А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р генераторные. Предназначены для примеиеиня в усилителях мощности, умножителях частоты н автогенераторах на частотах до 400 МГц прн напряжении питания 28 В.

Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным нинтом. Масса транзистора ие более 6 г.

Электрические параметры

Параметр

Буквенное обозначение

Значение

Режим измерения

л

го :2

<

<

Иглюдная мощность. Вт-

f=100 МГц

1-Ш МГц Коэффициент усиления iHt мощности-

f=IOO МГц. Г их-

-7.2 Вт

/ = 400 МГц. /iiui =

-2,5 Вт Коэффициент полезного сйстння коллектора.

2T9I4A (/=100 МГц,

iiu =3 Вт)

2T9I4A (/ = 400 МГц,

, их=3 Вт)

КТ914А (/-400 МГц,

иы, = 2.5 Вт) -татическиИ коэффици-передачи тока в схеме ОЭ

нрпжсиие насыщения чллектор - эмиттер. В Чпряжснне насыщения иттер база, В

0,25

О, 25 О, 25

О, 05 О, 05