Главная
>
Приборы мощных транзисторов Параметр Буквенное обозначе* н не Значение OKOH iaiiHe Режнм измерення Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f= 100 МГц) Критический ток коллектора (/=100 МГц). Л: 2Т914А КТ9ИА Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц), 2Т914А КТ914А (емкость коллекторною перехода (/ = 5 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/ = 5 МГц)*. нФ Обратный ток коллектор - эмнттер (Рг>->== = 100 Ом). мА,-Г = 25 °С Г=125 °С 2T9I4A КТ914А Обратный ток эмиттера, м А- Г = 25 С Т= 125 °С 2Т914А Индуктивность эмиттерного вывода*. нГи Индуктивность коллекторного вывода*. иГи Индуктивность базового вывода*. нГн Емкость эмиттер ~ корпус*. иФ Емкость коллектор корпус*. пФ Ёмкость база корпус*. мФ
1.0* I 5 20 1 2 170 0.1 0.2 28 10 (10) (28) 63 0.03 предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор эмиттер ...... . 65 В Импульсное напряжение коллектор - эмнттер ..... . . 75 В Постоянное напряжение эмнттер база 4 В Постоянный ток коллектора . 0,8 А Импульсный ток коллектора (Ти<10О мкс. Q>10)..... , 1.5 А Постоянный ток базы . . 0,2 А Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Гк5£40°С) Тепловое сопротивление переход - корпус Температура перехода Температура корпуса Температура окружающей среды 7 Вт 16 С/Вт 150 С 125 °С от -60 °С до Г =125 °С Прп Г >40°С Рк, срю.х [Вт] = (150-Г )/16. 0.8 0,0 O.h
0,t 0,6 0,8 1,0 1,Z Рд.Вг ,0 0,8 ¥
0,8 0,6
S 10 50 hO 30 20
0,4 О.Б 0,8 1,0 1,2 Pi,B7 а д,2 o.h 0,6 0,в irflfrjrO.Zfl) l.h .0 0.8 4.6
О zoo 400 BOO BOO Iff, мЯ 0,8 I 0,1 0.6 0,5 0,4 0,3
В 8 Щз,В 519
rJ-KilyZOOMH) 60 -30 a 30 60 Tc .0 0,6 0,6
о 50 00 150 гоо Г,мй Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 1 мм от кор. пуса Усилие, перпендикулярное оси вывода, не более 0,5 Н Запрещается изгиб и кручение выводов. 2Т974А-2Т974В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р усилительные. Предназначены для работы в импульсных и линейных усилителях н преобразователях. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами Масса транзистора ие более 1,5 г.
Прн установке в аппаратуру транзистор должен прижиматься к теплоотводу. Шероховатость контактирующей поверхности теплоот вода должна быть не более 1,6. Неплоскостиость контактирующей поверхности теплоотвода должна быть ие более 0,02 мм. Для уменьшения контактного сопротивления между корпусом и теплоотводо следует применять смазки, например КПТ-8. Допускается заливка транзистора компаундом ВТ25-200. Допускается изгиб выводов на расстоянии ие менее 3 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм.
|