Главная
>
Приборы мощных транзисторов
НЗпасБЭнас.В Б ИЗ ас,Щзпас.5 гтзтгБ У КЗ нас Убз,
0 1. ft 6 1к,/1 Прч паГже жало паяльника должно быть заземлено. Допускается минимальное расстояние от корпуса до места пайкн 1 мм прн условии, если температура корпуса не превышает 150 °С. Раздел шестой. МАТРИЦЫ И СБОРКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ п-р-п 2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А-КТС613Г Транзисторные матрицы, состоящие нз четырех электрически изо лированных кремниевых эпитаксиально-плаиарных п-р-п переключающих сперхвысокочастотиых транзисторов, предназначены для пр * иения D быстродействующих импульсных устройствах и переключа- телях, различных каскадах вычислительных машии и другой радио-электронной аппаратуры. Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса матрицы е более 4 г. 1 -Ь-в 74.5 Корпус Электрические параметры
Окоич Параметр Буквенное обозначение Значенне
Режим измерен . Т-Я5 °С КТС613А КТС613Б КТС613В КТС613Г Г=125С 2ТС613А 2ТС613В КТС613А, КТС613Б Время рассасывания, НС Граничное иапряжение, Б; 2TC6I3A, КТС613Б Емкость коллекторного перехода (f=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА. Г = 25 °С 2ТС623А, 2ТС613Б KTC6I3A. КТС613Б КТС613В, КТС613Г Г=-60 °с 2ТС613А, 2ТС613Б 7- = 85 °С КТС613А, КТС613Б КТС613В, КТС613Г Г =125 С КТС613А, КТС613Б Обратный ток эмиттера, мкА рас КЭО гр 20 30 15 40 20 30 40 5* 0,01* 0,01 200 300 250 450 200 300 15 50 5 10 10 100 100 50 10 10 (0) 60 60 40 50 34 45 (4) (15) 50 Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - эмиттер ( Ga = 0) 2ТС613А, 2ТС613Б Г =-60-f 100°С Г =125 С . . 7- =150°С . . . КТС613А, КТС613Б Г = -45-f 70°С Т = 120 С КТС613В, КТС613Г г = -4570°С Г =120°С . . . Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (/?бэ<1 кОм): 2ТС613А, 2ТС61ЗБ Г = -60 -f 100 °С Гп=125С . . . Гв=150°С . . 60 В 45 В 30 В 60 В 30 В 40 В 20 В 50 В 37 В 25 В
|