Главная
>
Приборы мощных транзисторов
40 60 во /00 Т, С 20 40 60 60 J00 Т, с Пайку выводов разрешается производить на расстоянии ие менее 3 мм от корпуса матрицы. Температура пайкн ие более 250 °С. Вре-мя пайкн ие более 5 с. Изгиб выводов допускается иа расстоянии не менее 3 мм от корпуса матрицы с радиусом закругления не менее 1,5 мм. КТС631А-КТС631Г Транзисторные сборки, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-плаиарных п-р-п универсальных сверхвысокочастотиых транзисторов. Предназначены для применения в дифференциальных усилительных, быстродействующих импульсных устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры. Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса сборки пе более 4 г 18.5 ,\\J.5Z гМЗ-нолпекпг ls.8iz-fy3a 8,ч,Щ1Ч-зпиттер % 11 - сшоднш 15-иорпуе Параметр Буквеииое обозначение Значение Режим измерения гпаннчная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, КТС631А, КТС631Б КТС631В, КТС631Г Постоянная времени цепи об-оатной связи (/=5 МГц), ис Цапряженне насыщения коллектор - эмигтер. В: КТС631А. КТС631Г КТС631Б. КТС631В Напряжение насыщения база - инттер. В: КТС631А, КТС631Г КТС631Б, КТС631В Время рассасывания, ис; КТС631А, КТС631Б KTC63IB. КТС631Г Статический коэффициент передачи в схеме ОЭ: КТС631А, КТС631Г КТС631Б, КТС631В Обратный ток коллектора, мА: 7-=-45 -f 25 °С КТС631А КТС631Б КТС631В КТС631Г Г=85С КТС631А КТС631Б КТС631В КТС631Г Обратный ток эмиттера, мА: Г=45 4- -f 25 °С Г=85 °С Емкость коллекторного перехода (/ii3M=iO МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/ зм=10 МГц), пФ КЭ нас БЭ иас 350 200 0,3 0,21 0,9 0,8* 7,5 20 20 20 1,2 1,2 115 0,2 0,05 О, 05 0,2 1,0 0,5 0,5 1,0 0,1 0,5 15 (30) (30) 60) 60) (20) (20) (10) (10) (10) 450 100 450 100 300 150 (45) (10) (45) (10) (15) Предельные эксплуатацнонные данные Постоянное напряжение коллектор - эмнттер (/?вэ = 0): 7 =-5-T--f70°C КТС631А, КТС631Б . КТС631В, КТС631Г . 7=85 °С КТС631А, КТС631Б . КТС631В, КТС631Г . 30 В 60 В 24 В 50 В Постоянное напряжение коллектор - база: Т= 45-г+70-С КТС631А, КТС631Б . КТС631В, КТС631Г . Г=85°С КТС631А, КТС631Б КТС631В, КТС631Г . Постояиное напряжение эмиттер - база . Постоянный ток коллектора: , - КТС631А, КТС631Г . . V : .! КТС631Б, КТС631В . . 4 , j . Импульсный ток коллектора (Тя<10 мкс, <?50): КТС631А, КТС631Г КТС631Б, КТС631В..... Постоянная рассеиваемая мощность зисторной матрицы: Т = 45ч-+55°С .... Г=85°С...... траи- Импульсная рассеиваемая мощность транзисторной матрицы (ТиЮ мкс, Q50 Г = -45 -4-+55С)...... ТбЬС КТС631А, КТС631Г . . КТС631Б, КТСБ31В . . Температура перехода ...... Температура окружающей среды 30 В г 60 в .-. 24 в / 50 В 4 В 1 А, 0,3 А - 1,3 А 0,5 А 1 Вт 0,5 Вт 4 Вт 1,5 Вт 0,9 Вт 120 С -45 °С -4- +85 °С го m
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора одной структуры транзисторной 7- = -45ч-+55С КТС631А, КТС631Г . 0,7 Вт КТС631Б, КТС631В . 0,3 Вт 7 = 85°С КТС631А. КТС631Г . 0,2 Вт КТС631Б, КТС631В . 0,15 Вт 2 Импульсная рассеиваемая мощность коллектора одной транзисторной структуры при Г=45ч- +55 °С КТС631А, КТС631Г . 2,1 Вт КТС631Б, КТС631В . 0,9 Вт Г = 85 °С КТС631А. КТС631Г . 0,6 Вт КТС631Б, КТС631В . 0,45 Вт При температуре окружающей среды от 55 °С до 85С мощность снижается линейно. Р,г 0,-1 0,6 0,8 Vjg,e
|