Главная
>
Приборы мощных транзисторов 09 OS Ob 02 I/m z OS* 002 002 001
i/i>j 004 DOC 002 DDI g yI OOfr OOC OOZ 001
OB SI 00! Q n SO g\
0 01 0>! OS 09 20 hO 60 80 Ir,m/I Н{ 0м 2TC622A, 2ТС622Б, KTC622A, КТС622Б Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпнтаксиальио-плаиарных р-п-р переключающих сверхвысокочастотных траизисторов, предназначены для применения Б быстродействующих импульсных и переключающих устройствах. Корпус металлокерамический с гибкими выводами. Масса матрицы не более 0,4 г. /* и 12 и Ю 9 8 у В.18 п 13 12 11 10 э а III II I 1 г 5 е 7* Пайку выводов разрешается про1Юводнть на расстоянии ие менее 1 Мм от корпуса. 3842 Параметр Букйеиное обози а ченне Значение Режнл* измерения
Л\одуль коэффициента передачи тока (f = = 100 МГц): 2TCG22A. 2ТС622Б. КТС622А КТС022Б Напряжение насыщеиня коллектор - эмиттер. В; 2ТС622А. 2ТС622Б, KTCG22A КТС622Б Иапряжение насыщения база - эмиттер. В; 2ТС622А. 2ТС622Б, КТС622А КТС622Б Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Г==25 °С 2ТС622А. 2ТС622Б, КТС622А КТС622Б Г- -60 С 2ТС622А. 2ТС622Б Г=125°С 2ТС622А. 2ТС622Б Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте*, мс: 2ТС622А. 2ТС622Б Время включения*, не: 2ТС622А. 2ТС622Б Время рассасывания, ис: 2ТС622А, КТС622А 2ТС622Б. КТС622Б Емкость коллекторного перехода* (/ = 2 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода* (/ = 2 МГц). пФ Обратный ток коллектора. мкА: Г =-60 -т--Ь25°С 2ТС622А. 2ТС622Б Г = -45- 4-25 °С КТС622А КТС622Б Г = 85 °С КТС622А КТС622Б Г=125°С 2ТС622А. 2ТС622Б Обратный ток эмиттера, мкА
10 (0) 45 35 30 20 30 (♦) 200 200 (80) (20) (20)
|