Импульсное напряжение коллектор - эмиттер ((7бэ =2 В - =10 мкс, Q>2) . . 80 В Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 В Постоянный ток коллектора .... 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность транзистора при Гк до 50 С 2...... 6Э Вт
Г = 100°С KTS034..... 30 Вт
7- =125С КТ803А...... 15 Вт
Тепловое сопротивление переход - корпус 1,66°С/Вт
Хемпература перехода ...... 150°С
Температура окружающей среды
2Т803А .........от -60 °С
до Г = 125°С
КТ803А.........от -40 С
до Гк=100°С
1 При температуре перехода от 100 до 150 °С напряжение снижается линейно на 10% на каждые 10 С. Температура перехода рассчитывается по формуле Тп - Тн + Rt н, кР.
2 При температуре корпуса el-je 50 С Ртах [Вт] =60- (Г -
ктаозй
К,-ЮР
о 2 4 6 а.
SO *0 30
г г803л,
к г803/1
гт воз/1, ктваз/г
f = ЮМ Гц
10 15
1 Z 3
0,1f
ZT803fl,
ктбаз/1
\ Выкл
--MB
Z J
500 Ш 300
zoo wo
ZT803/1, КГ803/1
5000
toao
3000
2000 1000
ZT803fl, ктваз/}
0 O.S 1,0 1.5 Z.O Щ,8
л max
50 tO 30 20 W
27803/1, КТВ03Д
>
20 fO 60 BO 100 T°C
0 10 20 30 to irB
BO 50 fO 30 20
2Т803Л, КТйДЗв
RS 100 Ом
to 60 во 100 1Z0 T ;c
27803/i, КГ803Л
7 -150C
>
10° W sa8aio%3,B
Пайка выводов транзисторов должна производиться при температуре не выше 275 °С в течение не более 3 с на расстоянии не менее 6 (2Т80ЭА) и 5 мм (КТ803А) от корпуса транзистора.
Не допускается работа транзистора в инверсном режиме.