Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 [ 2 ] 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

Таблица 1

Графические обозначения полупроБодниковых приборе

Наименование

Оботчачение

Трашистор тша р п р

TpainiCTop типа п р ч с ко1лекторолс, электр!1ЧССки соединенным t KopnjcoTi

Полсьой транзистор с ктпаТ1ми типов п и р

По 1-вон транзистор с изолированным затвором с пи водом от подюл лИ обогащеннога типа с р каналом и оСеднсиного типа с п каиаюм

Полевой тртизистор с изолированным затвором обо гащеииого типа с л каналом и с внутренним соеднис нием подложки и истока

Полевой TpainuciOp с дп>мя изолиропаппымн затпо рачн оСеднепного типа с п каналом и с виутрепним соединением подножки и истока



тотные, высоковольтные, высокочастотные линейные); генераторные *г ысокочастотные, сверхвысокочастотные, сверхвысокочастотные с согласующими цепями); переключательные и импульсные (переключательные высоковольтные и импульсные высоковольтные).

По своему основному назначению полевые транзисторы делятся на усилительные и генераторные.

Каждая из перечисленных групп характеризуется специфической системой параметров и справочных зависимостей, отражающих особенности применения транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре. Применительно к данной классификации транзисторов расположен информационный материал в справочнике.

1.3. Условные графические обозначения

В технической документации и специальной литературе следует применять условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73.

Графические обозначения полупроводниковых приборов, помещенных в данном справочнике, приведены в табл. 1.

1.4. Условные обозначения электрических параметров

{/э - напряжение коллектор - эмиттер

КЭО -постоянное напряжение коллектор - эмпттер при

токе базы, равном нулю КЭК -постоянное напряжение коллектор - эмиттер при

заданном сопротивлении в цепи база - эмиттер КэК -постоянное напряжение коллектор - эмиттер при

короткозамкнутых выводах базы и эмиттера КЭХ -постоянное напряжение коллектор - эмиттер при

заданном обратном напряжении база - эмнттер KЭR, и -импульсное напряжение коллектор - эмиттер при

заданном сопротивлении в цепи база - эмиттер Кэк, и -импульсное напряжение коллектор - эмиттер при

короткозамкнутых выводах базы и эмиттера -к.эx и -импульсное напряжение коллектор - эмиттер при

заданном обратном напряжении база - эмиттер Кэо проб - пробивное напряжение коллектор - эмнттер при

токе базы, равном нулю Кэк проб - пробивное напряжение коллектор - эмиттер прн

заданном сопротивлении в цепи база - эмиттер КЭК проб -пробивное напряжение коллектор - эмиттер при

короткозамкнутых выводах базы и эмиттера Кэх проб -пробивное напряжение коллектор - эмиттер при

заданном обратном напряжении база - эмиттер КЭ max - максимально допустимое постоянное напряжение

коллектор - эмиттер Кэ, и max - максимально допустимое импульсное напряжение

коллектор - эмиттер KБ - постоянное напряжение коллектор - база

КБ, и -импульсное напряжение коллектор - база



КБо проб КБ max

КБ. H-niax

ЭБО проб ЭБ

БЭ ЭБ max

СИ ЗИ ИП

СИ max ЗИ max

ЗС max

СП max

ИП max

ЗП шах ц

к э в

к, ж

Э, и В. и 1С аас

Б нас К шах

Э max Б max К, я max

Э, и max К нас max

Б нас max

- пробивное напряжение коллектор - база

- максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база

- максимально допустимое импульсное напряжение коллектор - база

- пробивное иапряжение эмиттер - база

- постоянное напряжение эмиттер - база

- падение напряжения на участке база - эмиттер

- максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база

- напряжение сток - исток

- напряжение затвор - исток

- напряжение исток - подло/Кка

- максимально допустимое напряжение сток - исток

- максимально допустимое напряжение затвор - исток

- максимально допустимое напряжение затвор - сток

- максимально допустимое напряжение сток-подложка

- максимально допустимое напряжение исток - под-лол<ка

- максимально допустимое напряжение затвор - подложка

- напрчженпе источника питания

- напряжение источника питания цепи коллектора

- напряжение источника питания цепи Сазы

- постоянный ток коллектора

- постоянный ток эмиттера

- постоянный ток базы

- импульсный ток коллектора

- импульсный ток эмиттера

- импульсный ток бааы

- постоянный ток коллектора в режиме насыщения

- постоянный ток базы в режиме насыщения

- максимально допустимый постоянный ток коллектора

- максимально допустимый постоянный ток эмиттера

- максимально допустимый постоянный ток базы

- максимально допустимый импульсный ток коллектора

- максимально допустимый импульсный ток эмиттера

- максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения

- максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения



1 [ 2 ] 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184