Главная
>
Приборы мощных транзисторов Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (/?бэ10 Ом или Res-l кОм, запирающее напряжение эмиттер - база 0,5 В) . ЮО В Импульсное напряжение коллектор-эмиттер ........... 120 В Постоянное напряжение коллектор - база 4 в Постоянный ток коллектора .... 0,5 А Импульсный ток коллектора (ти<1 мс, скважность не менее 2)...... 1,5 А Постоянный ток базы...... 0,2 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Т = -40-4--Ь70°С) .... 10 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 8 °С/Вт Предельная температура перехода . . . 150 С Температура окружающей среды . . . -40-н-f85 °С При температуре окружающей Як max [Вт]=(150-Г/Рт п, к. среды выше 70 °С 20 О
O.t 0,5 0,6 0,7 0,8 Ug B 213 120 100 80 60 tO 20 0
213 BO 0,5 0,t 0,3 0,2 0,1
0,2 0,t 0,6 0,8 ...В -fO -20 О 20 UO -40 -го
о 20 40 Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба н панки пы-це менее 5 мм. Радиус изгиба 1,5-2 мм. Пайка выводов долж- пронзводиться прн температуре не выше 250 °С в Teneinic не более 3 с. 2Т808А, КТ808А Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные. Поедназначены для применения в ключевых устройствах, генерато-пах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г, масса накидного фланца не более 12 г. Электрические параметры
Окончание
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Лбэ= 10 Ом, Гп до 100 °С) ... 120В Импульсное напряжение коллектор - эмиттер (Рбэ=10 Ом или (/бэ =2 В, Ти< <500 мкс, Q6, Тп до 100°С) ... 250 В Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 В Постоянный ток коллектора .... 10 А Постоянный ток базы...... 4 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Т = -60-4-+50°С); с теплоотводом....... 50 Вт без теплоотвода....... 5 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 2 °С/Вт Температура перехода...... 150 °С Температура окружающей среды: от -60 °С до 2Т808А.......... Гк=125°С КТ808А......... от -60° С до Тн = 100 °С Постоянное и импульсное напряжение коллектор - эмиттер при температуре перехода от 100 до 150°С снижается линейно на 10% на каждые 10 °С. Температура перехода рассчитывается по формуле Тп = Тк + Rt п, к Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19,62 И (2 кгс) в осевом и 3,43 И (350 г) в перпендикулярном направлениях к оси вывода. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора.
|