Главная
>
Приборы мощных транзисторов
п,г 0,i 0,6 Ugj,e
60 -20 20 60
a,t 0,8 1,2 -so -20 za 60 2000 1600
О т г 3 2Т809А, КТ809А Транзисторы кремниевые мезапланариые п-р-п переключательные Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и л<есткими выводами. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г. Масса накидного фланца не более 12 г. В импульсных режимах работы допускаются перегрузки по мощности рассенвания до 300 Вт в момент переключения. При этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс, частота перегрузки не более 5 кГц, температура корпуса не выше 90 °С. В импульсных режимах допускается обратное напряжение бэ до 8 В. При этом ток через переход база - эмиттер не должен превышать 1 А, скважность должна быть не менее 2, частота не менее 30 кГц. Допускается использование транзистора с импульсным током до 7 А при скважности не менее 2, Мгновенная мощность при переключении не должна превышать 100 Вт в течение не более 5 мкс скважности не менее 1С. Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19,62 И (2 кгс) в осевом и 3,43 И (350 г) в перпендикулярном направлениях к оси вывода. Пайка выводов допускается иа расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора.
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - эмнттер (i?63=10 Ом)....... 400 В Постоянное напряжение база-эмиттер . 4 В Постоянный ток коллектора .... ЗА Импульсный ток коллектора (тн400 мкс, Q>10).......... 5 А Постоянный ток базы...... 1,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 (Г = 60+50°С) .... 40 Вт Температура перехода...... 150 С Температура корпуса....... 125 С Тепловое сопротивление переход - корпус 2,5°С/Вт Температура окружающей среды ... от -60°С до 7- =125*С При температуре перехода от 100 до 150 °С (/кэ mar снижается линейно на 10% иа каждые 10 °С. ~ При температуре корпуса выше 50°С Рк шах [Вт] = (Гп - Г~ )/т п, к, где п, к - тепловое сопротивление переход - кор-Ус, определяемое из области максимальных режимов.
|