Главная
>
Приборы мощных транзисторов Импульсное напряжение коллектор - эмиттере закрытого транзистора (Лбэ=10 Ом, t 500 мкс, ТфО.З мкс, Q2): Г = -40-f-+85°С 2Т812А, 2Т812Б . . 350 В Постоянное напряжение эмиттер - база: 2Т812А, 2Т812Б....... 6 В КТ812А - КТ812В...... 7 В Постоянный ток коллектора: 2Т812А, 2Т812Б....... 10 А КТ812А -КТ812В...... 8 А Импульсный ток коллектора: 2Т812А, 2Т812Б т <20 мкс, 10 . . 17 А т <20 мкс, Q2........ 12 А КТ812А -КТ812В т <1 мс, QlO или т <50 мкс, Q2....... 12 А Постоянный ток базы: 2Т812А, 2Т812Б....... 4 А КТ812А - КТ812В...... ЗА Импульсный ток базы: 2Т812А, 2Т812Б т <20 мкс, 10 . . 7 А т 20 мкс, Q2....... 5 А КТ812А -КТ812В т <1 мс, QIO или т <50 мкс, Q2....... 4 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора : 2Т812А, 2Т812Б (Гк = -60 4--f 50 С), КТ812А -КТ812В (Гк =-45+50 °С) 50 Вт Температура перехода...... 150 °С Температура окружающей среды; 2Т812А. 2Т812Б.......от-60 С до Гк=125°С КТ812А-КТ812В......от-45 °С до Г = 85 °С При понижении температуры корпуса от -40 до -60°С и при повыщении от 85 до 100 °С (/g. и max линейно снижается до 500 для 2Т812А н до 400 В для 2Т812Б; при повышении температуры корпуса от 100 до 125 °С СкЭ и mar линейно снижается до 400 для 2Т812А и до 300 В для 2Т812Б. е При коротком фронте при понижении температуры корпуса от -40 до -60°С и при повышении температуры от 85 до 125 °С линейно снижается до 300 В. При повышении температуры корпуса выше 50 °С Як max снижается в соответствии с формулой Як max [Вт] = (Гп - Тк)/ктп,к (Rt п, к - определяется из области максимальных режимов). При применении транзисторов в каскадах строчной развертки телевизоров допускается эксплуатация их с коэффициентом загрузки, равным единице по UyQj и /к; при этом температура корпуса не должна превышать 100 С. Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 5 мм; температура панки не выше 250 °С в течение 3 с.
ги 30 O.f 0,8 7,2 1.6 lf B 75 60 45 dO
3 5 3 1,Я fzta 35 30 25 20 15 10
-60 -20 20 60 Tff.C 300 250 200 150 100 SO
a hO 80 120 С пЧ> 2600 2600 Zt О a 2200 2000 1800 1600
10 /к,Л
о г t 6 i,fl 16 /
0.5 О
0,5 1 1,5
W 10 и з,в КТ815А-КТ815Г Транзисторы кремниевые меза-эпнтаксиально-планарные п-р-п универсальные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 1 г. 0,5-s 13,5 ФЗ,0Р
|