Главная
>
Приборы мощных транзисторов Параметр Буквенное обозна чение Значенне Режим измерения < < Граничное напряжение (тн< 300 мкс, Q>!00), В: KT8I5A КТ815Б KT8I5B КТ815Г Напряжение насыщения коллектор - эмиттер. В Напряжение насыщения база - эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Г=25 °С KT8I5A - КТ815В КТ815Г Г = -40 °С КТ815А - КТ815В КТ815Г Граничная частота коэффч-цнента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Емкость коллекторного перехода { = 465 кГц). пФ Емкость эмиттерного перехода (,f = 4G5 кГц), пФ Входное сопротивление в режиме малого сигнала (/ = -0,8 кГц), Ом Обратный ток коллектора, мкА: 7- -.10 и +25 °С Г,( = 100 °С КЭО гр КЭ ас БЭ ас 21Э 1 1Э 25 40 60 4 0 30 30 20 70* 70* 10* 60* 300* О, 06* 5* 0.6 I ,2 50 1 ООО (0,5) (0,05) 0,5 0,5 О, 15 0,05 О, 05 (0,03) 0. 005 Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - эмнттер {?Gi = oo): КТ815Л ......... КТ815Б......... КТ815В ......... КТ815Г .......... Постоянное напряжение коллектор - эмиттер {?5тй£100 Ом): KT8I5A ......... КТ815Б ......... КТ815В ......... КТ815Г .......... Постоянное напряжение база -эмиттер Постоянный ток коллектора , . . . Импульсный ток коллектора (ТпЮ мс, QlOO).......... Постоянный ток базы...... 25 В 40 В 60 В 80 В 40 В 50 В 70 В 100 В 5 В 1,5 А 3 А 0,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Г = -40--+25°С): с теплоотводом....... 10 Вт без теплоотвода....... 1 Вг Температура перехода...... 125 °С Температура окружающей среды ... от -40 °С до Гк=100°С 1 При температуре корпуса выше 25 °С Рк шах уменьшается линейно с теплоотводом на 0,1 без теплоотвода на 0,01 Вт/°С. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Разрешается производить пайку путем погружения выводов не более чем на 2 с в расплавленный припой с температурой пе выше 250 С. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5 мм. Прн этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. га ва 70 60 SO JO
Ц.м/1 Ю КТ817А-КТ817Г Транзисторы кремниевые меза-эпитакснально-планариые п-р-п универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных н дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 0,7 г. б К 3 11,1 Параметр буквенное обозначение Значенне Режим измерения а Is; Граничное напряжение (Ти < 300 мкс, q>m), В: КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г Напряжеине насыщения коллектор - эмнттер, В Напряжение насыщеиня база - эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ; Гк = 26 °С Гк=100°С Тк--40 °С Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Емкость коллекторного перехода (f=I МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/=1 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА: Т= + 25 и -40°С 7-к=100°С КЭО гр КЭнас БЭнас 21Э 0,16 0,83 30 45 25 0,1* 0,6 1,5 60 115 3000 10 (10) СКБ = =КЭКтах (0,1) (0,25) Предельные эксплуатационные данные Постоянное иапряжение коллектор-эмнттер (Лбэ = о°): КТ817А.......... 25 В КТ817Б.......... 45 В КТ817В.......... 60 В КТ817Г.......... 80 В Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (/?бэ<1 кОм): КТ817А.......... 40 В КТ817Б.......... 45 В КТ817В.......... 60 В КТ817Г.......... 100 В Постоянное напряжение база - эмиттер . 5 В Постоянный ток коллектора .... ЗА Импульсный ток коллектора (тн20 мкс, QlOO).......... 6 А Постоянный ток базы...... 1 а
|