Главная
>
Приборы мощных транзисторов КТ821А-1-КТ821В-1 Тоанзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п усильные. Предназначены для применения в усилителях низкой ча- оты операционных и диффе-1 ииальных усилителях, пре-Р зователях и импульсных гтройствах герметизироваи-U аппаратуры. Оформление бескорпусное, гибкими выводами, с защитным покрытием. Каждый тран-нстор упаковывается в ннди- идуальную тару. Масса тран-1торг не более 0,02 г. Электрические параметры Параметр
Граничное напряжение (Ти$300 мкс. Q> 100), Б: KT82IA-I КТ821Б-1 КТ821Б-1 Напряжение насыщения коллектор ~ эмнттер, В Напряжение насыщения база - эмнттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭг КТ821А.!, КТ821Б-1 KT821B-I KT82IA-I КТ821Б-1 KT82IB-! JJOieHHe статических коэффициентов передачи тока в схеме ОЭ при большом 213 max малом Л 2!Эп11п значениях тока коллектора Граничная частота коэффн-передачи тока в схеме ОЭ, МГц гп= ° сопротивление ранзистора в режиме мало-Ем п - * =-0-8 кГц), Ом Коля. оллекторного пере-Емко. 65 Гц), пФ Joaa. (f l -f P °-o пере- Обратнь,; * МКА коллектора. Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - эмиттер: /?бэ<100 Ом КТ821А-1..... КТ821Б-1..... КТ821В-1..... /б=ОА КТ821А-1..... КТ821Б-1..... КТ821В-1..... Постоянное напряжение база - эмиттер Постоянный ток коллектора . . . . Импульсный ток коллектора (ТцЮ мс, QlOO)......... Постоянный ток базы...... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в составе гибридной схемы (Т = = -40-4--f25°C) .... . . Температура перехода ....... Тепловое сопротивление переход- .<ристалл Температура окружающей среды 50 В 70 В 100 В 40 В 60 В 80 в 5 В 0,5 А 1,5 А 0,3 А 10 Вт 125 °С 10°С/Вт -40 °С н- -1-85 °С Допускается /к тах = 1 А при условии непревышения мощности. 2 При 7 = 25-4-85 °С в составе гибридной схемы /ьта\ = = (12.=1-Г)/10. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 3 мм от защитного покрытия. 0,15 0,1 0,05 О
ln.Mfl 1,0 0,9 0,8 0,1 0.6
0 0,1 0,t 0,6 Ugj,B KT823A-1 -KT823B-1 Транзисторы кремниевые меза-эпитакснальио-планариые п-р-п усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Оформление бескорпусное, с гибкими выводами, с защитным покрытием. Каждый транзистор упаковывается в индивидуальную тару. Масса транзистора не более 0,03 г. Электрические параметры Параметр Буквенное обозиа чеиие Значение Граничное напряжение Пи<300 мкс. Q>100), В: KT823A-1 КТ823Б-1 KT823B-1 Напряжение коллектор эмиттер, В апряженне насыщения эмнттер, в насыщения щеиня ба- КЭ нас БЭ нас 45 60 80 0.15* О, 8* О, 2* 0,9* 0,6 1,5 Режим измерения
(0,1)
|