Главная
>
Приборы мощных транзисторов Окончание
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - эмиттер R6ssi \ кОм КТ823А-1 . . КТ823Б-1 , . КТ823В-1 . . /б =0 А КТ823А-1 . . КТ823Б-1 КТ823В-1 Постоянное напряжение эмнттер - база Постоянный ток коллектора Имп>льсный ток коллектора (тиЮ мс, QSlOO) . . ... Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллек тора 2 (7- = 40ч- + 25°С) Температура перехода Тепловое сопротивление переход- кристалл Температура окр)жающей среды 45 В 60 В 100 В 45 В 60 В 80 В 0,5 А 20 Вт 125 °С 5°С/Вт -40 °С -f- -f85°C Допускается / max = 3 А при условии непревышения мощности При 7 = 25 -85°С в составе гибридной схемы Рктах--==(125-Т )/5.
10 Wij./i 10 I ,/l 2Т826А-2Т826В, КТ826А-КТ826В Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные. Предназначены для работы в преобрзовате тях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах, ключевых устройствах Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Масса транзистора не более 17 г. Место Мариирабка Пайка выводов допускается на расстоянии ие менее 5 мм от корпуса транзистора.
Режим измерения
Граничное иапряжение (/.= = 40 мГи), В; 2Т826А. 2Т826В, КТ82ЬЛ. KT82GB 2Т826Б, КТ826В Напряжение насыщения коллектор - эмнттер, В Наприжсние насыщения база - эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Гк = 25°С Гк=125 С 2Т826А - 2Т826В Гк=100 С КТ826А - KT82GB Гк = -60°С Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/=! МГц) Время спада, мкс: 2Т826А. КТ826А 2T82GB, КТ826Б Емкость коллекторного перехода (1=\ МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (f-l МГц). пФ Обратный ток коллектор - эмиттер (Кбэ=10 Ом), мА: Гк = 25 -С Гк=125 °С 2Т826А - 2Т826В Гк-100°С КТ826А-КТ826В Гк= -60 С Обратный ток эмиттера. мА КЭнас БЭ ас 2 1Э 12 1 500 600 300 120 ,5 0,7 (100) 300 300 500 о, 5 0,5 0.1 О, 1 0,2 0,2 /Б1 = 0,2 Л, /Б2 = 0,5 Л Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - эмиттер ( бэ<10 Ом, Тк=-60-h-+75°С) . Импульсное напряжение коллектор-эмнттер (Лбэй£10 Ом, т,1<20 мс, Q50, Тф 5? 0,2 мкс, скорость нарастания фронта не более 3,5 В/нс, Т = -60-4--f-75 °С) . . Импульсное напряжение коллектор-эмиттер (?бэ<10 Ом, Тн<20 мкс, Тф1,5 мкс, скорость нарастания фронта не более 0,66 В/нс, Т = 25°С)...... 700 В 700 В 1000 В
|