Главная
>
Приборы мощных транзисторов
60 50 tO 30 20 10 0
10 и ,.8 ВО -20 20 60 КТ82ЯА -КТ829Г Транзисторы кремниевые мезапланариые п-р-п составные усилительные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 2 г. <t>J,75 1,2 0.85 2.5 It Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. При этом температура корпуса не должна превышать 85 °С. Параметр Буквенное обозначение Значение Режим измерения Гоаничиое напряжение, В: КТ829Б КТ829В КТ829Г Напряжение насыщения коллектор - эмиттер. В Напряжение насыщения база - эмнттер, В Статический коэффициент передачи тока в счеме ОЭ 7-=25-85 -С 7-= 40 °С Модуль коэффициента передачи тока на вьюокой частоте (1=10 МГц) Обратный ток коллектор - эмиттер (Кбэ1 кОм). мА: 7-= 10 и -f 25 °С Г=85 °С Обратный ток эмиттера, мА КЭО гр КЭнас БЭнас 21Э 121э K3R 80 60 45 750 100 КЭКтах 3,5(14) 3,5 (14) 3 Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - база: КТ829А.......... 100 В КТ829Б.......... 80 В КТ829В.......... 60 В КТ829Г.......... 45 В Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (?бэ<1 кОм): КТ829А.......... 100 В КТ829Б.......... 80 В КТ829В.......... 60 В КТ829Г.......... 45 В Постоянное напряжение эмиттер - база 5 В Постоянный ток коллектора .... 8 А Импульсный ток коллектора (Ти<0,5 мс, Q>10).......... 12 А Постоянный ток базы...... 0,2 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Г =-40-f25°C, (/кэ=7,5В, к=8 А).......... 60 Вт Температура перехода...... 150 °С Температура окружающей среды ... от -40 °С до Г = 85 °С При Т = 25--85 °С Рктах [Вт] = (150-7-,<)/2,08. ктвгэл- НТ82ЭГ
к 50 1,0 30 20 10
о 0,5 1 1,5 l/gjj 213 10-*
0,2 0,16 0,12 0,06 O.Qh-
О 1 Z t 6 -60 -20 20 60 ГС 10°
10. 10 wea laoUffj.B
|