Главная
>
Приборы мощных транзисторов Параметр Т=25°С f 45 и +100 °С Напряжение насыщения база - эмнттер В Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте (f=! МГц) Время рассасывания, мкс Время спада, мкс Емкость коллекторного перехода, пФ Емкость эмиттерного перехода, пФ Постоянное напряжение эмиттер - база, В Обратный ток коллектор - эмиттер, мА: Г=25 °С Tio и + 100 °С
Предельные эксплуатационные данные Импульсное напряжение коллектор - эмнт тер (Лбэ<10 Ом, Ти20 мкс, Тф2мкс, Г = -45 -f 75°С . . Тк=100С . . . Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора Постоянный ток базы Импульсный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность лектора 2 (Г = -45-f--f 95 °С) Импульсная рассеиваемая мощность кол лектора (Ти<4,5 мкс, Q14, Т = =-45- +95 °С): 1500 в 1100 В 5 А 7,5 А 0,1 А 3,5 А 12,5 Вт (/кэ =200 В..... {КЭ =300 В..... (КЭ =400 В..... tK3 =600 В..... Температура перехода Температура окружающей среды 250 Вт 200 Вт 150 Вт 120 Вт 70 Вт 115 С . от -45 °С ДО 7к=100 С снижается линейно. При Гк ОТ 75 до 100-С t/SR и п При ? ОТ 95 ДО 100°С P mai [Вт] = (Т - Г ) ?г п, к. где т п, - тепловое сопротивление, определяемое из области ильных режимов. макси-
213 0,2 0,t 0,6 0,8 Ugj,B 1КЗнас щзнас
20 16 12 8 >
Z * 6 2200 1 2 3 2000 1800 1600 Tioo то 1000 КТ838Я 1 10 70 10
t(3 0,5 0 2Т839А Транзистор кремниевый мезапланарный п-р-п импульсный. Предна-ачен для работы в высоковольтных ключевых устройствах и вто-пнчных источниках питания. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г. J3,2 2ат8<р4.1 Электрические параметры Параметр Буквенное обоэна чение Значение
Режим измерения < Граничное напряжение (i = 40 мГн, /к; а(;= -300 мА), В Напряжение насыщения коллектор - эмнттер, В Напряжение насыщения база - эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Гк=2о °С ,/ = -60 и -fl00°C Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте (/=1 МГц) иремя рассасывания. Время спада, мкс емкость коллекторного перехода, пФ be v1° 1 иттерного перехода, пФ Ра м - ?:-25С Л1-- +100 С ; Ратный ток эмиттера, КЭО гр КЭ нас БЭ нас 21Э 21э1 рас КБО ЭБО 240 4000* 1 ,5 1,5 10* 1,5* 10 10 20 500 500 (10) (1500) (1100) 0,3 4,5 1,5 1,8 ,8
|