Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 [ 38 ] 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

Гк=-40 4--60 и yS-f-lOOC Импульсное напряжение коллектор тер 2 (/?5э=10 Ом):

Гк = -40 -=-+75°С . . .

Гн=-40 Н- -60 и 75 -f- 100°С Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мощность лектора 3 (Гк=-60Ч-+25 °С) . . Температура перехода Температура окружающей среды

эмит

1500 В 1100 В

1500 В 1100 В

10 А

10 А

50 Вт 125 °С

от -60 °С до Гк=100°С

При Тк от -40 до -60 и от 75 до 100 °С U спи. линейис

2 При Тк от -40 до -60 и от 75 до 100 °С t/aR, и шах

ется линейно при ТфЗ мкс При Тф<3 MKcLjgpj ci

ется до 700 В.

3 При Т от 25 до 100 °С Рк max [Вт] = (Тп -Гк) ?тп, к, Лт п, к - определяется из области максимальных режимов.

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора паяльником с температурой не выше 260 °С в течение ие более 10 с.

10 0,8 0,6 А 0,1 О

гтвззя

Щз-ОВ

0,t 0.5 0,6 0,7 l/gj,e

гтв:

Ч Чу

Постоянное напряжение коллектор - база Г =-40-+75°С . . .



П 10

В + Z

2T839fl

>

0,8 ОЛ ИВ

2Те39А

1-4/1

1 1

гт839/1

l-4/i

о 0,5 I 1,5 К

\ ггз 6

0 2*6 Ig,yf

гтвззл

- 208

\ , \

/ - 1МГц

Ч \ \ \

0,5 1 1,5 Г ,/1

2Т853Л

С,.пФ 350

300 250

150 100 50

2Т839Л

2Т839Я

10 10 10 fii-OM о 40 80 120 Ок.В 1 2 3 l/g.B



гтбззя

>

lZ5-c

tia nacmoti-ном wane

10 10 10 1/ :

; ztiis/f

ТЧОмс

-7,-25 ~7 т

OJfi

>-

КТ840А, КТ840Б

Транзисторы кремниевые мезаггланарные п-р-п переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах.

Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г.

ZorSU ]

/J1J


Место п маркиродка



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 [ 38 ] 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184