Главная
>
Приборы мощных транзисторов Гк=-40 4--60 и yS-f-lOOC Импульсное напряжение коллектор тер 2 (/?5э=10 Ом): Гк = -40 -=-+75°С . . . Гн=-40 Н- -60 и 75 -f- 100°С Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мощность лектора 3 (Гк=-60Ч-+25 °С) . . Температура перехода Температура окружающей среды эмит 1500 В 1100 В 1500 В 1100 В 10 А 10 А 50 Вт 125 °С от -60 °С до Гк=100°С При Тк от -40 до -60 и от 75 до 100 °С U спи. линейис 2 При Тк от -40 до -60 и от 75 до 100 °С t/aR, и шах ется линейно при ТфЗ мкс При Тф<3 MKcLjgpj ci ется до 700 В. 3 При Т от 25 до 100 °С Рк max [Вт] = (Тп -Гк) ?тп, к, Лт п, к - определяется из области максимальных режимов. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора паяльником с температурой не выше 260 °С в течение ие более 10 с. 10 0,8 0,6 А 0,1 О
0,t 0.5 0,6 0,7 l/gj,e
Постоянное напряжение коллектор - база Г =-40-+75°С . . . П 10 В + Z
0,8 ОЛ ИВ
о 0,5 I 1,5 К \ ггз 6 0 2*6 Ig,yf
0,5 1 1,5 Г ,/1
С,.пФ 350 300 250 150 100 50
10 10 10 fii-OM о 40 80 120 Ок.В 1 2 3 l/g.B
10 10 10 1/ :
КТ840А, КТ840Б Транзисторы кремниевые мезаггланарные п-р-п переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г. ZorSU ] /J1J Место п маркиродка
|