Главная
>
Приборы мощных транзисторов Параметр БуквеЕПюе обозначение Граничное напряжение*. Б KTS-lOA КТ840Б напряжение насыщения коллектор - эмнттер*. В Напряжение насыщения база эмиттер В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ* Модуль коэффициента передачи тока на высокой ча iTOTC * if= 1 МГц) Время рассасывания, мкс Время спада, мкс Время включения*, мкс Обратный ток коллектора мА 7- = 25 °С Г = -45 С Т =т С КЮ ip КЭ час БЭ нас 21Э рас о вил КБО Значение Режим измерения 400 350 1 , 2* 10 10 0,4* 0,15* 0.08 0,1* 0.5* 0,5* 450 37i 1 .4* 1 2 0.8* 0.3* О, 1 0.5* 1 .5* 1 5* 3 I ,0 I 00 1 5 3.5 0.6 0.2 (5) ()) I О 20 0 200 200 СКБ. и.иах О, I 0.6 0. 1 О , 2 2 5 2.5 2.5 1 .25 I . 25 0,5: I 0,5: I 0.5. I Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - эмнт-тер (/?г = 100 Ом) КТ840А . . . КТ840Б . . . . Импульсное напряжение коллектор - эмиттер (Отг, = 1,5 В, ти<80 мкс, Тф1 мкс): КТ840А Т = -20-г-f 100°С . . . . КТ840Б 7- = -20-f--Ь90°С . . . . Импульсное напряжение коллектор - база (т :80 мкс, Тф1 мкс): КТ840А 7- = -20- +100°С КТ840Б 7- = -20-f90°C Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора (т 20 мкс, Q>3) . ..... Постоянный ток базы Импульсный ток базы (т <20 мкс, (?3) Постоянная рассеиваемая мощность кол- 400 В 350 В 400 В 750 В 900 В 750 В Для траизисторов КТ840А при Г, = -20-г-Ь45 °С Ogx и iiu\ , КБ. и тач снижаются линейно до 750 В; для транзисторов КТ840Б при Г = 90н-100°С напряжения снижаю ся линейно до 700 и при /к=20- +45 °С до 600 В. лектора (t/jg 30 В, Т = -454--t-50 °С) Температура перехода ...... Температура окружающей среды 60 Вт 150 °С от -45 С до Т =100 С При7- >50°С Рктаг [Вт] = (150 -Гк)/ Г п, к, гдс Rt тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое нз области максимальных режимов; например при (/[сз=30 В, / = Rr .п = \37°С/Вт. = 2 А. %Хи max, В soa 800 700 600
о f 2Т841А, 2Т841Б Транзисторы кремниевые плаиарные п-р-п переключательные. Предназначены для работы в ключевых устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г. 33,2 10.3 3.8, Параметр Буквенное обозначение Значение та о Режим измерения Ь (о Граничное напряжение. В 2T81IA 2Т841Б Напряжение насыщения коллектор - эмиттер. В Напряжение насыщения база - эмиттер*, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Г = 25 °С Г = -Ю и -t-I25°C Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ (/=1 МГц), МГц Время рассасывания*, мкс Время включения*, мкс Время спада*, мкс Емкость коллекторного перехода * [1 - 0.3 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода* (f-0,I МГц), пФ Напряжение коллектор - эмиттер* . (ти = = 1 мкс). В Обратный ток коллектора. мА; 7- = йО+ +25 °С 2Т8-ИА 2Т841Б Г =125 °С 2T84IA 2Т841Б Обратный ток эмиттера. мА КЭО гр КЭ нас БЭ нас рас вкл сп 350 250 0,25* О, 95 12 6 0,43 0,06 О, 06 185 3000 440* 370* 0,6* 1 . 1 0,8 О, 08 О, 1 220 3800 0,04* 0,04* 310 450* 1,5 1 ,6 300 5000 (10) 200 200 200 (10) (600) (400) (600) (400) О, 1 (0,2) Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - база: 2Т841А.......... 600 В 2Т841Б........... 400 В Постоянное напряжение коллектор - эмит- тер! ((/бэ =1.5 В): 2Т841А.......... 600 В 2Т841Б.......... 400 В Прн ТфО.З мкс; Тф не ограничивается до (/эо гр-
|