Главная >  Приборы мощных транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 [ 40 ] 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184

Импульсное напряжение колтектор - эмнт тер (/? ,<100 Ом т = 0 5 мкс ТфОЗ мкс

2Т841Л

2Т841Б

Постоянное напряжение эмнттер - база

Постоянный ток колтектора

Имп> тьсиыи ток колтектора (т 10 чс,

Постоянный ток базы

Импульсный юк базы (тмЮ мс, Q2) Постоянная рассеиваемая мощность кол тектора

с теплоотвотом Г, =-60---25°С

без тстоотвода Г = -60~+25°С

Температура нерсхота

Температура корн\са

Температура окружающей среды

500 В 350 В 5 В 10 А

15 Л 2 Л 4 \

50 В 3 Вт 150°С 125 °С от -60 °С до Г =125 °С

- 50 1,0

-4 JO

ZT8415

б3 гпеплоатSoda, >

1 1 1

50 40 30 20 W О

2Т8Ч1Я 278-,! Ь

О за 60 30

0,2 Ot 06 08 Vf

Z!3

50 40 30 20

ZT8hin, гТ841Б

Щзиас 63 нас, 2,0

0,4 О

2ТаЧ18, гТ81,1Б

Щзна



B,S8 0,36 0,34 0,31

27841/1, 2Г84/Б

ЗЯ проз/ASOnpcS 1,2,

1.0 0,8 0,8 0,4 0,2

ZTB41fl,

-60 -10 zo so T,C

10 Rli OM

200 100

гТ841/1, ZT841S

0 zo 40 60 Ug,B

t,MKC 4

3 Z 1

0.02

2TB4I/I,ZT841B

<--

pac

-SO -zo zo 60 T ,°G


0 Z 4 6 1ц,P

ZOVU -100 S,3S МвШЙ

10°

. ...

CmaminecnSr

T,-Z5-C T -150C

2Г8Ш 2Г841В


III! liiUlli

10 V B



Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор. пуса транзистора.

При эксплуатации, монтаже должны быть приняты меры, исклю-чающие воздействие статического электричества выше 1 кВ.

ТК135-16, ТК135-25, ТК142-40, ТК142-50, ТК142-63, ТК152-80, ТК152-100, ТК235-32, ТК235-40, ТК235-50, ТК235-63

Транзисторы кремниевые эпитакснально-чезапланарные п-р-п переключательные. Предназначены для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах. Выпускаются восьми классов по напряжению (от 0,5 до 4) и трех групп по напряжению насыщения коллектор - эмиттер.

Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзисторов ТК135-16, ТК135-25 не более 17,6 г; ТК235-32, ТК135-40 ТК135-50, ТК235-63 не более 25 г; ТК142-40, ТК142.50, ТК142-63 не более 35 г; ТК152-80, ТК152-100 не более 56 г.

mi5-ie,mis-zs

-!-1->

вид /t J3.l


2llTl а.!

TK2i5-5Z,TK2}S I/O .



тнт чс,гкт-5о,

7Кт-65ТИ15г-80,

тктчоо

lad f



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 [ 40 ] 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184