Главная
>
Приборы мощных транзисторов Таблица исторов
Раздел второй ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ Прн разработке, 113готовлении и эксплуатации полупроводниковых приборов следует принимать во внимание их специфические особенности Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, температурная нестабильность и зависимость нх параметров от режима работы, а так/кс изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации. Транзисторы, приведенные в справочнике, являются транзисторами общего применения. Они сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в широких пределах. Эти условия характеризуются внешними механическими (вибрационными, ударными, центробежными нагрузками) и климатическими воздействиями (температурными, атмосферными и др ) Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предназначенных для нспо1ьзоваиия в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях Нормы на значения электрических параметров и специфические требования, относящиеся к Конкретному типу транзистора, содержатся в частных технических условиях Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые параметры, характеристики и свойства траизисторов могут изменяться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на нх использование в составе аппаратуры прн любых допустимых условиях эксплуатации Необходимо помнить что корпуса транзисторов в конечном счете имеют ограничение по герметичности Поэтому при испопьзовании транзисторов в аппара туре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя Рекомендуется при менять лаки ЬР 231 (ТУ 6 10 863-79) или ЭП-730 (ГОСТ 20824-75) Все большее распространение получают так называемые бескор пусные транзисторы, предназначенные для использования в мнкросхе мах и микросборках Кристаллы таких транзисторов защищены спс цнатьным покрытием, но оно не дает дополнитеТиной защиты от воз действия окружающей среды Защита достигается общей герметнза цией всей микросхемы Рассеиваемая мощность, а также возможность работы на СВЧ оп ределяются конструкцией транзисторов Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу радиоэлектронной аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характер ные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить соответствующие условия ее эксплуатации и хранения Транзисторы - приборы универсального применения Они могут быть успешно использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах Однако набор параметров и характеристик, приводимых в справочнике, со ответствует основному назначению транзистора В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, гарантируемые ТУ дпя соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации Рабочий режим транзистора в проектируемом устройстве часто отличается от того режима, для которого приводятся параметры в ТУ Значение большинства параметров транзисторов зависит от рабочего режима и температуры, причем с увеличением температуры зависимость параметров от режима сказывается более сильно В спра вочнике, как правило, приводятся типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, ча стоты и т д Эти зависимости должны использоваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как значения параметров транзисторов о 1иого типа не одинаковы, а лежат в некото ром интервале Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным значением указанным в справочнике Некоторые пара метры имеют двустороннее ограничение При конструировании устройств необходимо стремиться обеспе чить их работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров транзисторов Разброс параметров транзисторов и нх изменение во времени при конструировании могут быть учтены расчетными методами или экспериментально - методом граничных испытаний В справочнике, как правило, пе приводятся выходные характери стики биполярных транзисторов ввиду их однотипности и возможности построения по приводимым данным Область f -йд отсечки, а)
Q КЭтс Область /1Е/ атсеч/<а. Рис 2 1. Выходные характеристики биполярного транзистора и области работы при вкл10че1нн1 по схеме ОБ (а) и по схеме ОЭ (б). На рис 2 1 показаны выходные характеристики биполярного транзистора с указанием областей работы для схем с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Как видно, выходные характеристики в схеме ОБ (рис. 2.1, а) напоминают анодные характеристики усилительных пентодов, с тем различием, что коллекторный ток протекает и прн нулевом напряжении питания В схеме ОЭ (рис 2 1,6) выходные характеристики идут из начала координат, имеют наклон к оси напряжений. Характерные особенности рабочих областей, показанных на рис. 2 2 применительно к токам и напряжениям для р-п-р транзистора, приведены в табл. 4. Для п-р-п транзисторов знаки неравенств в столбцах табл. 4 Напряжение на коллекторе и Напряжение на эмиттере должны быть заменены на обратные. Выходные вольт-амперные характеристики полевых траизисторов (зависимость тока стока от напряжения на стоке при различных напряжениях на затворе) напоминают характеристики усилительных пентодов (рис. 2.3). На семействе этих характеристик можно выделить три области: линейную (изменение тока стока пропорционально изменению напряжения на стоке); область насыщения (ток стока слабо зависит от напряжения на стоке); область пробоя (ток стока резко возрастает при малых изменениях напряжения на стоке) На рис. 2 4 приведены проходные вольт-амперные характеристики (зависимость тока стока от напряжения на затворе при неизменном напряжении на стоке) полевых транзнсторов с управляющим р-п переходом с каналами п- н р-типов проводимости и схемные обозначения этих транзисторов. Проходные характеристики полевых транзисторов с управляющим р-п переходом хорошо аппроксимируются выражением /С=/С ач(1-Зи/ЗИ ото) . Де /с пач - начальный ток стока (ток стока при fgjO); V ore - напряжение отсечки. Теоретическое значение показателя степени п = - 2. Однако на практике п= 1,5-2,5. Таким образом, полевые транзисторы с управляющим р-п переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (неза-
|