Главная
>
Приборы мощных транзисторов 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 [
51
] 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 lKait про! IКЭКпроЬ 12
2T505A, 2Т505Б
Транзисторы кремниевые плаиариые р-п-р переключающие. Предназначены для применения в переключающих устройствах и вторичных источников питания.
Корпус металлический с гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Значение
Режям измерения
Параметр
Буквенное обозиаче-ине
£ к
g т о с к
й> о к
Е к о а: Е
m ii
s> со
<:
< и
Граничное напряже- - (Т.<300 КС.
2Т505А 2Т505Б
КЭО гр
250 200
270* 230*
0,01
Значение
Режим H3MepIiJ
Параметр
Буквенное обозначение
са S
о а о а
ffl S
о а: :
S>
(а и:
<
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В
(КЭ нас
0,15
0,7*
1.8*
(0,1)
Напряжение насыщения база-эмнттер, В
БЭ нас
1,35
1.6*
1.8
(0,1)
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
7-=25 °С
Г=125 °С
Г = -60 °с
25 16 15
120*
140
Время включения, мкс
0,2*
0,25*
0,02
Время выключения, мкс
вы л
1.7*
2,7*
0,02
Время рассасывания, мкс
0,7*
1,6*
0,02
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц
0.05
Емкость коллекторного перехода*, пФ
Емкость эмиттерного перехода, пФ
(0.5)
Обратный ток коллектора, мкА
7-=25С
2Т505А
2Т505Б
7-=125 °С
2Т505А
2Т505Б
100 100
500 500
250 200
Обратный ток эмиттера, мкА
Пробивное напряжения коллектор-база* <КБО =0.5 мА), В:
2Т505А
2Т505В Пробивное напряжение эмиттер - база* (/ЭБО =0.5 мА), В
КБОпроб ЭБО проб
300 250 5
320 280 6
1
база
300 в 250 В
300 В 250 В 5 В
2 А 0,5 А
5 Вт
1 Вт 120--150 С/Вт
175 С -бОн- +125 °С
1 Скорость нарастания обратного напряжения
4: 250.10-е
В/с.
2 Без превышения значения постоянной рассенваемой мощности коллектора.
3 Прн Q<2 /к, и mai = /K majtQ.
При температуре корпуса от 55 до 125 °С при использовании транзистора с теплоотводом и при температуре окружающей среды от 25 до 125°С при использовании без теплоотвода рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно в соответствии с графиками.
Is, мД
W в 6 Ч
<б,.В
Зак. 225.
Постоянное напряжение коллекторэмиттер ( 53100 Ом):
2Т505А........
2Т505Б .......
Постоянное напряжение коллектор
2Т505А..........
2Т505Б ..........
Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора . . . . Импульсный ток коллектора 3 (ти2 мс,
Q>2)..........
Постоянный ток базы ......
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом (от 7 = -60°С до Тк =
= 55°С<).........
без теплоотвода (Г = -6Q-i-25 °С ) .
Тепловое сопротивление переход - среда .
Температура перехода ......
Температура окружающей среды
