Главная
>
Приборы мощных транзисторов ГТ703А-ГТ703Д Транзисторы германиевые сплавные р-п-р усилительные. Предиа-значены для работы в усилителях .мощности низкой частоты. Корпус металлический со стеклянными изоляторами с жесткими выводами. Масса транзистора не более 15 г 33 6 H<t,5 о. Электрические параметры
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (?оэ = 50 Ом) ГТ703Л, ГТ703Б . 20 В ГТ703В, ГТ703Г . 30 В ГТ703Д ... 40 В Импульсное напряжение коллектор - эмиттер (Лбэ = 50 Ом, т = 1 мс, QIO)- ГТ703А, ГТ703Б ..... 25 В ГТ703В, ГТ703Г . . . . . 35 В ГТ703Д .. 50 В Постоянный ток коллектора ... 3,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом (Г = -40-4--f 40 °С) 15 Вт без теплоотвода (Гк = -40-f 35 °С) 1,6 Вт Температура перехода . . 85 С Тепловое сопротивление переход - корпус 3 °С/Вт Тепловое сопротивление переход - среда 30 °С/Вт Температура окружающей среды . . от -40 °С до Г = 55 °С При Гк>40 °С для транзисторов с теплоотводом Рк та.ч[Вт] = (85-Т,)/3, при Т>35°С для транзисторов без теплоотвода Рк таг[Вт] = (85-Г)/30.
Ig.MA 80
4 6 8 10 0,2 0,4 0,6 Ugj,B 60 60 40 20 ГП03Я~ГТ703Е 0:s- 10 кг КЗНтах1 кгН1 1.0 0,8 0.6 O.t О.г о
0,02
-40 -JO -20 -W 0 W 20 JO Г, ,C Допускается панка выводов на расстоянии не менее о мм от кор-уса любым способом (пайкой, сваркой, пайкой погружением и т. д,) зн условии, что температура в любой точке корпуса не превышает эедельно допустимой температуры окружающей среды. При вклю-НИИ транзисторов в электрическую цепь коллекторный контакт дод ен присоединяться последним и отсоединяться первым.
|