|
| |
|
Главная
>
Приборы мощных транзисторов 1,08 Щ ЬО 0.96 13Z 7.86 184 г Г708Л, 27 7086, 277088  КЗвтах * 120 100 80 60 40 го о
10 W IO- 10 w ffgj.OM го to 60 ва wo i,°c Plmux.BT 6
Z5 50 75 100  ZS 50 75 100
при включении питающих иа пряжений, а также прн переход ных процессах не допускаете; превышения области максималь ных режимов При работе с пиковой мощностью при длительности, промежуточной для значений, приведенных на области максимальных режимов, не рекомендуется превышать границы области максимальных режимов для ближайшего большего значения длительности Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не *ie-нее 3 мм. 2Т709А-2Т709В Транзисторы кремниевые мезапланарные р-п-р составные усилительные. Предназначены для работы в линейных и ключевых устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора не более 9 г. RS.i гог1<Ь4 К4.д  го, 5 Электрические параметры Параметр
Режим измерения
Граничное напряжение (ти ООО мкс, О >100), В- 2Т709А 2Т709Б 2Т709В Напряжение насыщения коллектор - эмиттер. В Напряжение иасыщеиия база - эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ- Г=25-125 X 2Т709А 2Т709Б. 2Т709В Г=-60 С 2Т709А 2Т709Б. 2Т709В 3=25°С 2Т709А 2Т709Б, 2Т709В Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ , МГя Время включения*, мкс Врем я выключения, мкс КЭО гр КЭ иас БЭ нас 80 60 40 1,1* 1,8 500 750 200 300 200 300 90* 70* 50* I .4* 500 600 I ,4 100 80* 60* (5) (5) (6) (5) (10) (10) (0,5) 0,02 0,02 0,02 0,02 Параметр Буквенное обозначение Значение Окончание Режим измерения Та и: о la <; (а ikoctb коллекторного рехода* (f-300 кГц), [кость эмиттерного пе- хода* (/=300 кГц), нФ юбивное напряжение ллектор - база, В: Г=-60 +25°С 1Т709А !Т709Б Т709В Г=125С JT709A Т709Б !Т709В >обнвное иапряжение ллектор - эмнттер* бэ < 1 кОм), В: 2Т709А 2Т709Б гТ709В юбивное напряжение за - эмиттер, В КБОпроб КЭЛпроб ЭБОпроб 100 80 60 100 80 60 100 80 60 5 120* 90 70* 120 90 70 150* 100* 80* 150 100 80 (0,5) 5 5 5 0,005 ре дельные эксплуатационные данные Постоянное напряжеине коллектор - база: 2Т709А .......... 2Т709Б , . . , , , . . 2Т709Б.......... Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (/?бо<1 кОм, 7- = -60-+55 °С): 2Т709А.......... 2Т709Б.......... 2Т709В .......... Постоянное напряжение эмиттер - база: Постоянный ток коллектора..... Импульсный ток коллектора (тя2 мс, 02).......... Постоянный ток базы...... Импульсный ток базы (ти2 мс, . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Гк = -60 ч-+25°С): с теплоотводом ....... без теплоотвода ....... Температура перехода ...... Температура окружающей среды 1 При Q<2 /к, > max [А] =/к maxQ. от - 100 В 80 В 60 В 100 В 80 В 60 В 5 В 10 А 20 А 0,2 А 0,3 А 30 Вт 2 Вт 150°С -60 °С до = 125 С
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
