Главная
>
Приборы мощных транзисторов Щзятах/ nil/max г? га ifi
5 6 7 8 5 /./7 Укзмас.В ,7 IS 1.1 0.3 0.7
ЩзтсуВ
1.3 1 6 7 8 9 jlO
10 Z-IO I.,m/I >Бз ас,8 J.4 2,6 1.8
ВЗмас.В 3,2 2.8 2h 2.0 .6 12
BO-W -го о гз so is т ,с г г J 1 5 6 7 ви~;в 2000 0,05 0,1 0,2 0.S
10> 25 20 15 10 2Г 703/1~2Г70ЭВ С теплоотдодом Вез теплоотвода max. 20 40 60 П ЮО 120 Т., С 20 40 60 80 100 Т ,°6 Пайка выводов допускается на расстоянии ие менее 5 мм от корпуса транзистора. 1Т806А-1Т806В, ГТ806А-ГТ806Д Тпанзисторы гермаиневые диффузионно-сплавные р-п-р переклю-ельные Предназначены для работы в импульсных устройствах, р бразователях и стабилизаторах тока и напряжения. корпус металлический со стеклянными изоляторами н жесткими выводами. Масса транзистора не более 28 г. Электрические параметры Параметр
Граничное напряжение (Ти <50 мкс, f = 20-50 Гц), В- 1Т806А 1Т806Б IT806B Напряжение насыщения коллектор - эмиттер. В: 1Т806А - 1Т806В ГТ806А - гтаобд Напряжение насыщения база - эмиттер, В 1Т806А - 1Т806В ГТ806А - ГТ806Д Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ (на границе насыщения) к-гб °С Гк = 70 С 1Т8061 - 1Т806В ?, -55 °С ГТ806А ~ ГТ806Д 61) X 1Т8ОЬА-1Т800В Г=-б5 °С ГТ806А- ГТ806Д Р ичиая частота коэффи-HJ передачи тока в схе-ОЭ. МГц время виключения, мкс
|