K30 rp Ц<ЗН

Рис. 2.2. Реальные выходные характеристики мощного германиевого транзистора и области максимальных режимов (заштрихованы).

npoia/i

спаи

Рнс. 2.3. Выходные характеристики полевого транзистора.

Рис. 2.4. Проходные характеристики полевого транзистора с управляющим переходом с каналом п- и р-типов проводимости.

const

и си си пас

внспмо от типа его проводимости) при измеиении напряжения jaTBop - исток от нулевого значения до напряжеиня отсечки тока стока

На рис 2 5 приведены про ходные вольт амперные характеристики МДП-транзисторов и их схемные обозначения В отличие от транзисторов с управляющим р п переходом, у которых рабочая область составляет от зи =0 В до запирания, МДП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора

При необходимости применения траизисторов для выполнения

функций, отличающихся от их основного назначения, вывод о возможности их использования в этих режимах может быть сделан после измерения параметров транзисторов в этих режимах, проведения соответствующих испытании и согласования их параметров в соответствии с ГОСТ 2 117-71

Рис 2 5 Проходные характеристики МДП-транзистора с каналом п- и р-типов провоан-мости

Таблица -1

Характерные особенности рабочих областей прн включении биполярных траизисторов типд р-п-р по схемам ОБ и ОЭ

Рнс 2 6

Рис 2 7

Рис 2 8

Рнс 2 9

Рис 2 6 Устройство защиты транзистора с помощью последовательной RC цепи

Рис 2 7 Устройство защиты транзистора с помощью пюда

Рис 2 8 Устройство защиты транзистора с помощью стабилитрона

Рнс 2 9 Комбинированная с\еча защиты тра[13истора

В аппаратуре транзистор может быть нспочьзован в широком диапазоне напряжении и токов Ограничением служат значения предельно допустимых рел<ичов превышение которых в условиях экс-плуатаци[1 ие допускается независимо от длительности импульсов на пряжения или тока Даже кратковременное превышение прететьио допустимых режимов может привести к пробою р п перехода, сгора нию внутренних вывотов и выхоау прибора нз строя Поэтому прн применении транзисторов необходимо обеспечивать нх защиту от мгновенных изменений токов и напряжении, возникающих прн переходных процессах (моменты включения, выключения изменения ре жимов работы ИТ д), мгновенных изменениях питающих напряжении Не допускается также работа транзисторов в совмещенных пре дельных релчимах (например по напряжению и ток\)

Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправ тяемымн обратными токами во всем тнапазо-не температур

Существуют различные устройства защиты транзисторов от перенапряжения основанные иа поглощении части накопленной индуктивностью лнер1ии или блокирующие транзистор от попадания в высоковольтную область

Устройство защиты с помощью последовательной RC цепи приведено на рис 2 б Эчементы цепи рассчитывают из соотношения

С > 2LEf/{Ul RI), R L\, /? /(/Г£;,;,

где - разность между напряжением источника питания Ек и максимально допустимым напряжением коллектор - эмиттер

Устройство зашиты от всплесков напряжении с использованием шунтирующего диода приведено на рнс 2 7 Перепад напрялчекия в этом случае равен прямому падению напряжения на диоде т е практически отсутствует

Для защиты усилителей от случайных напряжений и импульсных перегрузок в устройствах с реактивной нагрузкой применяют стабилитроны, допускающие работу в ждущем режиме (рис 2 8)