Главная
>
Приборы мощных транзисторов Параметр Буквенное обозначение Значение Режим H3Mep ii из а: < Граничное напряжение (Ти <£3(Ю ыкс, > 100), В: 2T830A 2Т830Б 2T830B 2Т830Г Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В Напряжение насыщения база-эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Г = 20-125 °С 2T 830A - 2Т830В 2Т830Г Г =-60 °С 2Т830А - 2Т830В 2Т830Г Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Время рассасывания, мкс Время включения, мкс Время выключения, мкс Емкость коллекторного перехода (/= = 1 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (f=l МГц), пФ Обратный ток коллектора*, мкА Обратный ток эмиттера*, мкА Пробивное иапряжение коллектор - база. В: 2Т830А 2Т830Б 2T830B 2Т830Г Г=125 °С 2T830A 2Т 830Б 2T830B 2Т 830Г Пробивное иахшаже-ние эмнттер-в а. В: 2T830A 2Т830Б 2T830B 2Т830Г КЭО гр КЭ нас БЭ нас 21Э выкл С КБО эБО КБОпроб ЭВОПроб 25 45 60 80 0,25* 25 20 20 18 0,3* 1 0,1 20 35 60 80 100 35 60 80 100 0,35 0,92 30* 23* 0,5 ,5* 67 0,6 1,3 55* 50 0,8 2 100 1000 (0,5) 80 (5) О, 1 0,1 о, 1 о, I 3 3 3 3 (0,1) (О 05) (0,001) 0,1 0.1 0,1 0,1 0,1
60 ко
о 20 40 БО во ЮО Т.С Постоянное иапряженне коллектор - база: 2Т830А.......... 35 В 2Т830Б.......... 60 В 2Т830В.......... 80 В 2Т830Г.......... 100 В Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (R5,<1 кОм): 2Т830А.......... 30 В 2Т830Б.......... 50 В 2Т830В.......... 70 В 2Т830Г.......... 90 В Постоянное напряжение эмиттер - база: 2Т830А.......... 12 В 2Т830Б - 2Т830Г....... 5 А Постоянный ток коллектора .... 2 А Импульсный ток коллектора .... 4 А Постоянный ток базы...... 1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Гк = -60-+25°С): с теплоотводом....... 5 Вт без теплоотвода....... 1 Вт Температура перехода ...... 150°С Температура окружающей среды ... от -60 °С до 7-к=125°С гоо т т
Ig,MKfl
Рнтао ВТ % 1 О
25 50 75 100 Т.С 0,5% § -Т 25-С -T i50i: 10 0100 iMc WOmhc ЗОмпс 2 Т830Я, гтвзоб, 2Т830В, 2 Т830Г W 40 60 Щз,8 0,4 0,5 0,5 Ifg 8 2Т836А-2Т836В Транзисторы кремниевые плаиарные р-п-р переключательные. Предназначены для работы в ключевых усилителях мощности, вторичных источниках питания. Корпус металлический со стеклянными изоляторами н гибкими выводами. Масса транзистора ие более 2 г.
|