|
Главная
>
Приборы мощных транзисторов 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 [
69
] 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 | | Значение | Режим | измерения | Параметр | Буквенное обозиаче-пне | а: к S | о и о с | £ S о си S | | | < | < | Граничное напряжение, В: 2Т83йА 2Т836Б 2Т836В | КЭО гр | 80 80 40 | 1 00* 90* 60* | 125* НО* | | | (0,1) | | Напряжение насыщения коллектор - эмиттер. В: 2Т836А 2Т836Б 2Т836В | КЭ нас | 0,25* 0,25 0. 25* | 0,45* 0, 29* 0,3* | 0, 35 0,45 | | | 2 2 2 | 0,08 | Напряжение насыщения база - эмнттер. В: 2Т836А 2Т836Б 2Т836В | ЭБ нас | 0,95* 0, 9* 0,95 | 1* 1* 1* | 1,3 1 ,2 1 ,3 | | | 2 2 2 | 0,2 0, 08 0,2 | Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Г = 25 125 С Гк=-60 °С | 2 1Э | 20 10 | | | | | | | Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц | | | | | | | (0,05) | | Время рассасывания, мкс | | 0,2* | 0,6* | | | | | 0,08 | Время включения, мкс | | 0, 25 | 0,4* | | | | | 0,08 | Время выключения, мкс | вынл | 0,31* | 0,9* | 1 .6 | | | | 0,08 | Время спада | | 0,1* | 0,4* | | | | | 0,08 | | | | | | | | | |
| | Зиачеине | Режим | измерения | Параметр | Буквенное обозначение | й> о сб s а | а о а | а> о x SI s x | 1а и: го и: | го la | < | < ш | Емкость коллекторного перехода (f= = 1 МГд), пФ | | 340* | 350 | | | | | | Емкость эмиттерного перехода (/==1 МГц), пФ | | 150* | 220 | | | | | | Обратный ток коллектора, мА: Тк = -60- -1-25-С 7-н = 125 °С | | | | 0, 1 | КБОгоах | | | | Обратный ток эмиттера, мА | | | | | | | | |
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - база: 2Т836А.......... 2Т836Б . . ....... 2Т836Б.......... Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Лбэ<100 Ом): 2Т836А ......... 2Т836Б.......... 2Т836В .......... Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора .... Импульсный ток коллектора (ТиЮО мс, 02) .......... Постоянный ток базы...... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Т = -60-н 4-25°С): с теплоотводом ....... без теплоотвода ....... Температура перехода ...... Температура окружающей среды 90 В 85 В 60 В 90 В 85 В 60 В 5 В 4 А 1 А 5 Вт 0,7 Вт 150°С -60 °С Гк = 125 С 2/t o.s - 0,4B O.hZ 0,38 0,34 0.3 0,5 ? h5 7 0,26 | | 2TB36fl-2 T83SB | | | | | | | --0,08/1 | | | | | | 0,2A | | | | | | | | | | | |
20 40 60 tpao, - 0,46 0,42 0,38 0,34 0.3 0,26 0,22 M/iC | | гтвзвл- 2T83BB | | | | | | | | | | | | | | | | | | Ib0.2/1 | 0,/28/t | | | | |
0,4 0,3 0.2 0,1 0 20 40 SO | | | 2T83Bfl-2T83BB | | | | | | | Iff = 0,08/1 | | | | | | | Ik = 2/1 | | | | | | | | | | 0,2я | | |
ВЭ,> 20 40 60 80 Ц(з,В кзмас , 8 2,4 2 1,6 1.г 0.8 0.4 о | | ггвзвб | | | | | | | | 1-г/1 | | | | Iff 0,0s я | | | ------- | | | | | | |
-80 -20 го 60 т-с 1,1 1 0,8 0.1 -ВО -20 20 ВО
|
|