Главная
>
Приборы мощных транзисторов Ппг-тоянное напряжение коллектор - база: 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ J 60 4- +100 °С...... 120 В Г =150°С......... 60 В КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ r = -40-f-+70°С...... 120 В Г =120С......... 60 В Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Ло.-,<1 кОм): 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ Гп = -60 ч- -ЫОО°С...... 100 В Г =150°С......... 50 В КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ. КТ602БМ Г = -40--1-70°С...... 100 В 7 = 120°С......... 50 В Импульсное напряжение коллектор - база (т <1 мкс, 10); 2Т602А, 2Т602Б, 2Т502АМ, 2Т602БМ 7-п = -60-ЬЮО С...... 160 В 7 =150С......... 80 В КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ Гп = -40-Ь -f70°C ..... 160 В Постоянное .напряжение эмиттер - база 5 В Постоянный ток коллектора..... 75 мА Постоянный ток эмиттера..... 80 мА Импульсный ток коллектора (ти1 мкс, Q>7).......... 500 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: с теплоотводом 2 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ Гк==-60-г -f25°C...... 2,8 Вт Г = 125°С......... 0,55 Вт КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ Тн=-40-ь -f25°C...... 2,8 Вт 7к = 85°С......... 0,65 Вт без теплоотвода 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ Т = -60--Ь25°С ..... 0,85 Вт Г=\25С......... 0,16 Вт КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ 7 = 40- -f25 °С...... 0,85 Вт T=S5C......... 0,2 Вт Зак. 225 225 Тепловое сопротивление переход - корпус 45 °С/Вт Тепловое сопротивление переход-среда !50°С/Вт Температура перехода: 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ 150 С КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ 120 С Температура окружающей среды. 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ -60-=-+125 С КТ602А, КТ602Б, КТ602АЛ\, КТ602БМ -40 -=- +85 °С При Тп выше 70 С для КТ602А, КТ602Б, КТ602АЛ\, КТ602Б;М и 100 °С для 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ напряжения линейно уменьшаются 2 При 7 >25°С Рк max 1Вт] = (7 -Т )/45 (с теплоотводом). При 7>25С Рк max [Вт] = (Г -Т)/150 (без теплоотвода). 2/J W го J0 1 ,мя 300 250 200 150 100 50
10 20 за i/fig.B 500 400 гвв res
14 12 10 в 6 4 2
19 20 за U/(g.B о ZO 40 50 Unf,B
/<7 mti/ ,e Шероховатость поверхности радиатора в месте крепления транзистора в пластмассовом корпусе не менее 1,5, неплоскостность должна быть не более 0,02. При креплении транзистора в пластмассовом корпусе к радиатору необходимо применять в качестве прокладки между крепящим винтом и корпусом транзистора шайбу 3 (ГОСТ 9649-66). Крутящий момент при прижиме должен быть 60-70 Н-см (6-7 кгс-см). КТ6ПА-КТ611Г Транзисторы кремниевые планарные п-р-п усилительные. Предназначены для усиления и генерирования напряжения r диапазоне высоких частот. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса транзистора ие более 5 г. Ф4.г
|