Главная
>
Приборы мощных транзисторов
W 15 W /о 10 10 ffs <om С п<Р 60
paci - 2rS2S1-2, 2TS2S/im-Z 50 UO 2rSZ56-Z 20 \~ 2TB2SSM- ZOO ifOO 600 Защитное покрытие транзисторов - эмаль КО-97 (ТУ-6-10-542-75) и компаунд (ГТ-7 ЫУО.037.002 ТУ). Монтаж транзисторов осуществляется следующим образом: место монтажа смачивается спирто-канифольным флюсом (10-30% канифоли ГОСТ 19113-73, спирта 70-90% ГОСТ 18300-72), затем укладывается фольга припоя ПОС-61 ГОСТ 1499-70 толщиной 30 мкм, размером 3X3 мм. Температура пайки 200 С, время пайки 10 с. В момент пайки транзистор притирается к месту монтажа пинцетом. Пайка (сварка) выводов допускается ие ближе 2 мм от места выхода вывода из защитного покрытия. Статическое электричество не более 1 кВ. КТ646А Транзистор кремниевый эпитаксиально-плаиарнын п-р-п усилительный. Предназначен для работы в усилителях высокой частоты, импульсных и переключательных устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистсра не более 1 г. Электрические параметры
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянное напряжение коллектор-эмнттер; /?б, = 0.......... оэ=1 кОм........ Постоянное напряжение база - эмиттер Импульсное напряжение база - эмиттер Постоянный ток коллектора..... Импульсный ток коллектора .... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 60 В 60 В ,50 В 5 В 0,5 А 0,7 А 1 Вт Импульсная рассеиваемая мощность коллектора .......... 1,2 Вт Температура окружающей среды . . . -45 -v- 4-85 2Т653А, 2Т653Б Транзисторы кремниевые плаиарные п-р-п переключательные Предназначены для работы в ключевых и линейных преобразовате. лях и вторичных источниках питания. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
|