Главная
>
Приборы мощных транзисторов Электрические параметры Параметр Буквенное обозначение Значение Режим измерения < л Выходная мощность (/=10 МГц), Вт Коэффициент усиления по мощности (f=l<) МГц. Рвыг = 10Вт) Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В Прямое напряжение база-эмиттер, В Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f= = 10 МГц) Обратный ток коллектора. мА Обратный импульсный ток коллектор-эмиттер (/?бэ = 50 Ом), мА Обратный ток эмиттера, мА 213 КЭ нас ВЭО 21э1 КБО и, КЭЛ 20 7 15 28 28 10 10 10 110 (имп ) 2 (0,4) 2 1 Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор - база (Гц<125°С)1..... . 65 В Импульсное напряжение коллектор - эмиттер (/?бэ<50 Ом, т <15 мкс, Г <125°С) ПО В Постоянное напряжение эмиттер - база (Г <125°С)........ 5 В Импульсное напряжение эмиттер - -база (ти<40 мкс)........ 8 В Постоянный ток коллектора .... 5 А Постоянный ток базы ... . . 2 А рассеиваемая мощность кол- ..... ?Рп10вое сопротивление переход - корпус Температура перехода ..... Температура корпуса ..... Температура окружающей среды . . 30 В 3,3 °С/Вт 150 °С 125 °С от -60 °С до Г =125 X i Ппи Тп>125°С напряжение снижается линейно до 0,5 зиа-7 =150 С /пи гГ>50°С Як max [Вт] = (150-Г )/3,3. Пайка выводов допускается иа плоской части выводов транзисто-и осуществляется в течение не более 10 с. Температура плавления припоя, применяемого для пайки, не должна превышать 250 °С. Необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом транзистора и местом пайки. Запрещается кручение выводов вокруг оси. Изгибы и боковые натяжения выводов ие допускаются. 213 80 60 w го
213 1 4 6 Ъ / ,/7 80 60 40 го о
12 16 Un3,B
40 V ,B С пФ 1500 1100 $00 ктзогл 100 80
40 30 100 т;с
100 т,с 2Т903А, 2Т903Б, КТ903А, КТ903Б Транзисторы кремниевые мезаплаиариые п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности н автогенераторах. Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзистора не более 24 г.
|