тазе

Щзтах.

кэктах

Рис. 2.12. Область максимальных режимов мощного биполярного транзистора.

Рис. 2.13 Завпсимость достоянной рассеиваемой мощности от температуры.

температуры уменьшается (рнс. 2.14). Эта зависимость снимается экспериментально

При переходе от статического режима к импульсному и при уменьшении длительности импульса границы области максимальных режимов перемещаются в сторону больших значений тока и напряжения.

Максимально допустимая мощность рассенвания в импульсном режиме связана с максимальной рассеиваемой мощностью соотношением

нтах (тах Тп,к)/Тя п, к.

где Rt и п, к - импульсное тепловое сопротивление переход - корпус, являющееся функцией длительности импульса и скважности (рнс. 2.15).

Рис. 2.14. Области максимальных режимов при различных температурах корпуса.

Рнс. 2.15. Зависимость теплового сопротивления от длительности импульса.

Kopni/c

Рис. 2.16

Рис. 2.17

Рис 2 16 Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в активном режиме

Рис 2 17 Вид спектра частот выходного сигнала при намерении коэффициента комбинационных составляющих методом двухтонового сигнала

/ - основной тон 2 - комбинационные составляющие третьего порядка, 3 - комбинационные составпяющие пятого порядка

Чем меньще длительность импульса и больще скважность, тем больще импульсная мощность рассеивания, вызывающая разогрев перехода до максимально допустимой температуры. Области максимальных режимов И и III при этом перемещаются вправо - в область больших значений токов и напряжений. Эти границы определяются экспериментально.

Тепловое сопротивление переход - корпус зависит от конструкции транзистора и может быть определено из области максимальных режимов Например, для режима кэр ki (см. рис. 2.12) тепловое сопротивление

П,.к1°С/Вт]=(Г -Г )/(/кэ, /,).

Импульсное тепловое сопротивление переход - корпус связано с тепловым сопротивлением в статическом режиме соотношением

Гн п к (КЭ1 К/КЭ и- к. hi) Гп. к-

Все мощные биполярные транзисторы СВЧ диапазона предназначены для работы в режимах с отсечкой коллекторного тока. Допустимые электрические режимы на постоянном токе (по напряжению и мощности рассеивания), как правило, существенно отличаются от динамических режимов работы. Приведенные в справочнике параметры мощных СВЧ транзисторов позволяют пользоваться типовой эквивалентной схемой для оценки их эксплуатационных характеристик. Эквивалентная схема транзистора в активном режиме показана иа рис 2 16

Параметры некоторых элементов, изображенных на схеме, в справочных данных отсутствуют. Это значит, что эквивалентная схема Может быть соответствующим образом упрощена. Например, если не

приводится эквивалснтпое последовательное сопротивление коллекто ра, то это означает малое влияние этого параметра на типовые экс плуатацноиные характеристики, н он может быть исключен из схемы Приводимое в справочнике значение емкости коллекторного перехода СВЧ мощных транзисторов включает в себя значения емкостей металлизированных площадок в структуре транзистора и емкостей кор пуса То же относится и к понятию емкость эмиттерного перехода Линейные усилительные свойства мощных высокочастотных линей ных транзисторов характеризуются параметрами, методы измерения которых основываются на использовании двухтонового сигнала, со стоящего из двух гармонических сигналов Нелинейные свойства транзисторов в этом случае оцениваются коэффициентом комбинацн онных составляющих третьего и пятого порядков, являющихся отношением наибольших амплитуд соответствующих комбинационных со ставляющих спектра выходного сигнала (рис 2 17) к амплитуде ос новного тона

Между средней мощностью линейного двухтонового сигнала и мощностью в пике огибающей существует соотношение Рвых = = Рвыг(по)У2 Это соотношение используется для расчета КПД коллектора транзистора в режиме двухтонового сигнала

В процессе монтажа транзисторов в устройство механические и тепловые воздействия на них не должны превышать значений, ука занных в ТУ, так как это может привести к растрескиванию нзоля тора и следовательно, к нарушению герметичности корпуса транзи стора При рихтовке, формовке и обрезке участок вывода у корпуса транзистора должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса (изолятора) он не испытывал изгибающих или растягивающих усилий Оснастка для формовки выводов должна быть заземлена Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба вывода при формовке должно быть не менее 2 мм, если оно не оговорено в ту на конкретный тип транзистора При диаметре выво да не более 0,5 мм радиус его изгиба должен быть не менее 0,5 мм, при диаметре от 0,6 до 1 мм - не менее 1 мм, при диаметре более 1 мм - не менее 1,5 мм

При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует принимать меры, исключающие возможность их повреждения из-за перегрева и механических усилий При лужении п пайке расстояние от корпуса (изолятора) до места лужения и пайки должно быть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное

Допускается пайка выводов без теплоотвода и групповым мето дом, если температура припоя не превышает 260±5 С, а время пайки не более 3 с, если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное

Печатные платы очищают от флюсов жидкостями, не портящими покрытие, маркировку и материал корпуса транзистора (рекомендуется спиртобензоновая смесь)

В процессе монтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов и МДП полевых транзисторов необходимо обеспечивать защиту их от воздействия статического электричества Способы защиты приведены в ОСТ 11 аА0 336 013-73

К числу важнейших предупредительных мер относятся хорошее заземление оборудования и измерительных приборов, применение заземляющих браслетов (или колец) между телом оператора и землей антистатических халаТов, использование низковольтных электрона..