Главная
>
Приборы мощных транзисторов Параметр Буквеииое обозначение Значение Режим тме, m ii m (а Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В: 2Т908А, КТ908А 2Т908А КТ908Б Напряжение насыщения база - эмиттер, В: 2Т908А, КТ908А, КТ908Б 2Т908А Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Гк = 25 С 2Т908А, КТ908А КТ908Б 7-к=-60 °С 2Т908А. КТ908А КТ908Б Отношение статического коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Гк = 125°С к статическому коэффициенту передачи тока при Гк = = 25 °С- 2Т908А КТ908А КТ908Б Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте (/=10 МГц): 2Т908А КТ908А, КТ908Б Время включения*, мкс Время рассасывания*, мкс Время спада*, мкс Емкость коллекторного перехода (f=0,3 МГц), пФ Обратный ток коллектор - эмнттер, мА: Гк =60-25 °С 2Т908А, КТ908А ( бэ = 10 Оч) КТ908Б (Кбэ = 250 Ом) Гк=125°С ( 63=10 Ом) 2Т908А КТ908А КТ908Б Обратный ток эмиттера, мА КЭ нас БЭ нас 213 сп е.. 8 20 6 10 h2l э при 125° С 2 1 э пР 25° С 1*21 э О, 1 0,6 0.1 0,2 500 1.5 0,8 1 2,3 1,6 60 60 0,3 2,6 0,3 700 25 50 50 75 150 (10) 100 60 80 80 60 1 При температуре перехода от 100 до 150 °С t/gmax ЬкБОтах fl снижаются линейно иа 10% иа каждые 10 °С. Температура перехода рассчитывается цо формуле: + где Рк, Рэ -мощности, рассеива- емые коллектором и эмиттером. 2 При Г >50°С Рк max [Вт] = (Гя-Г )/Лгп, к, Где Ята.к- определяется нз области максимальных режимов (например, при у Э =10 В, /к =5 А, Rt , = 2°C/Bt). При эксплуатации траизисторов в условиях механических воздействий их необходимо крепить за корпус. Механические усилия иа выводы транзисторов в контактном приспособлении при испытаниях и измерениях параметров не должны превышать 2 кг в осевом и 350 г в перпендикулярном направлениях к оси вывода. Допускается производить распайку паяльником, нагретым до температуры не более 275 °С в течение 3 с иа расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора. В импульсных устройствах допускаются перегрузки по мощности рассеивания до 400 Вт в момент переключений. При этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс (по уровню 0,5), частота пе-Регрузок не более б кГц, Г <90°С. При запертом транзисторе в импульсных устройствах допускается использование тран-lOR* с напряжением источника питания IOO-iTq (напряжение иа транзисторе ск Д тельиость импульса 3 мкс, У*иость >25). При пусковых переход-кол допускается импульс тока - . ора длительностью <5 мкс, ампли-У ои А (импульс тока базы <10 А). 70
10 из,В п г-тпяиное напряжение коллектор - эмит-pni (Тц=-60Н-+100°С): 9Т908А, КТ908А (/?бэ=10 Ом) . . . 100 В КТ908Б (Лба = 250 Ом)..... 60 В ггпгтояиное напряжение коллектор - база L-60-T-+100°C)...... 140 В Постоянное напряжение база -эмиттер . 5 В Постоянный ток коллектора .... 10 А Постоянный ток базы...... 5 А ппгтояниая рассеиваемая мощность кол- (Г.=-60+50=С) . . . 50 Вт Температура перехода ...... 150 С Температура корпуса...... 125 °С Температура окружающей среды ... от -60°С до Г =125°С 0.8 0,6 0,<t 0,Z 0
0,6 O.B r l/gj. o.t 0.6 0.8 1 ifB lB,fl hi 0,8 0,6 0,t 0,2 0 2ТЭ08Я, КТЭ08/Г, КТ908Б 0,t O.g 1.2 r,6 if63. В 0,4 0,8 1,2 1,6 Us3,B КЗнаСЩзнас, 1.0 0.8 0.6 0,t 0,5 1 1,5 г
hi3 60 50 tO 30 ZO 10 0
Z k 6 Ik.*
|