Главная
>
Приборы мощных транзисторов 1,213 60 so го
КЗ пас 0,8 O.h
.go -zo 20 60 Tif.C -60 -га га во 2Т912А, 2Т912Б, КТ912А, КТ912Б Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности иа частотах 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В. Корпус металлокерамический с жесткими выводами. Внутри корпуса имеется полупроводниковый диод - датчик температуры. Масса транзистора не более 45 г. Параметр Буквеииое обозначение Значение Режим измерена. Выходная мощность (в пике огибающей двухтонового сигнала) (/=30 МГц), Вт Коэффицнент усиления по мош;ности (/=30 МГц, Рвых (но) = 70 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/ = =30 МГц, Рвых (по) = 70 Вт, % Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка (двухтоновый сигнал /=30 МГц. Рвыг (ПО) = =60 Вт). дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 2T912A, KT912A 2Т912Б, КТ912Б .Лодуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/=30 МГц) Обратный ток коллектор - эмнттер (Йбэ-Ю Ом), мА: Г = 25 С 7=85°С KT9I2A. КТ912Б Г=125С 2Т912А, 2Т912Б Обратный ток эмиттера, мА Постоянный обратный ток диода, мА Постоянное прямое напряжение диода, В вых (по) Кур >>21Э 21э обр пр 70 10 50 -30* 20 3 13 80* - 28* 20* 28 5,5* - 25 50 100 7,6* 50 75 75 250 (0,02) Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжеине коллектор - эмиттер (Лбэ<10 Ом): 2Т912А, 2Т912Б Т =125С .... 70 В Г =150°С .... 35 В КТ912А, КТ912Б Г = 75°С .... 70 В Г = 85°С .... 56 В Импульсное напряжение коллектор - эмиттер ((/эБ=-1.5 В): 2Т912А, 2Т912Б Г <125°С .... 80 В Г = 150°С .... 60 В КТ912А, КТ912Б Гк<75°С .... 80 В Г = 85°С .... 60 В Постоянное иапряжение эмиттер - база . 5 В Постоянный ток коллектора .... 20 А Постоянный ток базы...... 10 А па пассеиваемая мощность в динакп- СР;,С режиме ( кэ <28 В, Г <85°С) 35 Вт ловое сопротивление переход - корпус 1,42°С/Вт Температура перехода...... 150°С %9Т2Г2Ш2Г....... .25;С КТ912А, КТ912Б....... 85 Х Температура окружающей среды: 2Т912А, 2Т912Б....... °Г = ?25°С° КТ912А, КТ912Б....... °V=8?C° Тпк>85°С для 2T9I2A, 2Т912Б Як. ср таж [Вт] = (150--Г )/1.42.
Допускается производить пайку выводов иа расстоянии не менее 2 мм от корпуса паяльником, нагретым до температуры 250 °С в течение ие более 10 с. Допускается пайка выводов на расстоянии менее 2 мм от корпуса транзистора и в том случае, если обеспечен отвод тепла от корпуса, при котором температура корпуса ие превышает 125 °С. Диод включается в устройство в прямом направлении и служит датчиком температуры корпуса. ш гоо
0.2 а,Н 0,6 0,8 Ug B
|