Главная
>
Приборы мощных транзисторов 2Т926А, КТ926А, КТ926Б Прсд- Транз-исторы кремниевые мезапланарные п-р-п импульсные, назначены для работы в импульсных модуляторах. Корпус металлокерамический. Масса транзистора не более 20 п п гг Электрические параметры
150 В 200 В 5 В 15 А 25 А 7 А 12 А 50 Вт 450 Вт 150 °С 125 С 2 °С/Вт от -60 °С до Гк = 125 С от -45 °С до Т = 100°С Тп100°С, t/j3 ax 11 диапазоне температур перехода от 100 до 150 °С уменьшается линейно на 10% иа каждые 10 °С. 2 При Т >50°С Рк max [Вт]-(Т -Т )№т ,к, где /?г , определяется из области максимальных режимов (например, прн f/3=10 В и /к =5 А, Rt п, к = 2°С/Вт). При конструировании схем следует учитывать возможность самовозбуждения транзисторов за счет паразитных связен. Крепление транзисторов к панели осуществлять с помощью гайки. Осевое усилие иа вннт должно быть не более 120 кг. Допускается распайка транзисторов паяльником с температурой 275 °С в течение 3 с на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора. SO 4(7
Постоянное напряжение коллектор - эмиттер { б=,= !0 Ом)....... Импульсное напряжение коллектор-эмиттер (т <0,5 мс, Q>50)..... Постоянное напряжение база - эмиттер Постоянный ток коллектора .... Импульсный ток коллектора (тв<0,5 мс, Q>50).......... Постоянный ток базы...... Импульсный ток базы (тя0,5 мс, Q>50).......... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора = (Т = Тк mm - 50°С) . . . . Импульсная рассеиваемая мощность 2Т926.А (т 0.5 мс, Q>50, Гк = 25-80°С) Температура перехода ...... Температура корпуса ...... Тепловое сопротивление переход - корпус (t/кэ <10 В, /к<5 А) . . . . , Температура окружающей среды: 2Т926А .......... КТ926А, КТ926Б....... Z5 ZO 15
0,5 I 1,5 Z 2,5 I./l Щзтах. ZOO 1Б0 120
О 200 400 SOO Пцз,0м Рки тах.О SO 50 40 30 20 W
-60 -20 20 БО Т.С C,/,V WOOf
20 4 0 60 80 1/кв,В Ik,/! 10° 25 50 75 Гд., °С
10 101
|