Главная
>
Приборы мощных транзисторов 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 [
88
] 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 КТ927А-КТ927В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п тельные. Предназначены для применения в линейных усилит монаюсти на частотах 1,5-30 МГц прн напряжении [штания 2rV Корпус пластмассовый с жесткими выводами и монтажным
том Внутри корпуса имеется полупроводниковый диод - датчик пературы. Л\асса транзистора ие более 10 г.
2/,3
Электрические параметры
Зп,1чспие
Рели\
пморенг1я
Параметр
Вукиснное обозначение
га ?
с: га
: га 2
IS a
m Ii
<
Выходная мощность (/ = = 30 МГц). Вт
..ых
Коэффициент усиления по мощности (f = 30 МГц, Яв1л(по 1 = 75 Вт)
<У р
13.1
14,5
Коэффициент лолсзного действия коллектора (/ = = 30 МГц, Pbiji (по)-75 Вт),
Г) 2 *
Коэффициент комбинаююм-m,tx составляющих третьего порядка (двухтонов1,1й сиг-чал) иа f = 30 МГц, Piiiji (по) = 75 Вт
.19
3 2
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
КТ927А КТ927Б КТ927В
1 .>
2 Л 40
.10* 10 00*
50 75
1 00
6 b 6
5 5 5
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В
КЭ пас
0,33*
0,5*
---------
Знлче11)1с
Режим измерения
Буквенное
0 з:
<
Параметр
обозн.!Че иие
>
!£
IS а
ддуль коэффициента песе-.,uii тока иа высокой часто-
=30 МГц) Рмкость коллекторного перехода (/=10МГц). пФ ск,иг)сгъ эмиттерного перехо-f(/=lO МГЦ), пФ Актниная составляющая пол-
1 гю 1
5,0*
7,0*
I 20*
130*
(28)
1700
2300*
2850
2, 65*
ного пхотпого соиротиплепня (/=30 М! Ц. Рвых = 75 Вт).
Обратный ток коллектор -
sMHTTcp (Roj 01. м \
Г=23 С
Г=125 С
ООратш.п! ток эмиттера, мА
0,1*
Прямое напряжение диода
0,6*
(/ р=10 мА), В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - эмнттер (/?,1-, = 0) .... , . 70 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер {i?63 = oo) .... . . 35 В
Постоянное напряжение эмнттер - база . 3,5 В
Постоянный ток коллектора .... 10 А
Импульсный ток коллектора 30 А
Прямой ток диода . . . . 100 мА
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Т й£75°С) .... 83,3 Вт
Тепловое сопротивление переход - корпус 1,5°С/Вт
Температура перехода . .... 200°С
Температура корпуса . . . . , . 150 °С
Температура окружающей среды . . . от -60 °С до
7к=150С
При Г >75 °С Рк ср ша. (200-Г )/1,5 {Вт].
ПГ327Л-К7327 В
ittKfno)
f 30МГц
24 26 28 1/3, В
-28 -JO -32 -34 -36 -38 -40
kt927/i--ht327b
1/ з 28 в / ЗОМГц
10 15 20 1,,м/1
ктзгзл-
г<Т327В
- 288 = ЗОМГц
к Т327/3-NT9Z7B
I 7fl f ЗОМГц
-10 -15 -20 -25 -30 -35 -40
КТ327Я~ ЧТЭ27Р
пэ -28 8 1см 20м/! f = ЗОМГц
-1
° Uno,.B
взнос
0,6 0,5 0,4 0.3 0,2 О,} О
2 4 6 8
КТЯ27Я-MT9Z78
tso°c
125°С
50° с
40 1/ з,в
Ub3.
