Главная
>
Приборы мощных транзисторов Прн Г, >40°С Я ершах [Вт] = (160-Г,.)/0,8. Ik- 100 SO 60 40 20
Р8ь .В 60 40 то 100 80 80 20 20 О
80 60 40 го о 8 12 76 PSbix, В г /20 ВО 60 40 20 О
100 80 60 40 го о Рзх.ОГ /20 100 80 40 20 О
100 80 60 40 20 О 12 16 20 Постояиное напряжение коллектор - эмнттер (Лбэ<10 Ом)....... 60 В Постоянное напряжение эмнттер - база . 4 В Постоянный ток коллектора . ... 15 Л ВЧ входная мощность...... 20 Вт Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Т <40°С) .... 150 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 0,8°С/Вт Температура перехода ...... 160°С Температура корпуса: 2Т931А.......... 125 °С КТ931А.......... 85 X Температура окружающей среды: от -60 °С до 2Т931А.......... Гк = 125Х КТ931Л.......... от -40 Т до Л. = 85°С
\h,B в о h в 12 16 I/ в
8 П Х,А ВО 50 кО 30
0,2 0,f 0,6 0,8 1ц,/1 ЗВОО 3400 згео 3000 2800 гвоо 10 8 В 4 2
10 20 Щз, В го ю I -3 мм -p-rVV-j-Y-y 1=3MM Шероховатость контактной верхности теплоотвода долж,? быть не менее 2,5. Неплоског ность контактной поверхност теплоотвода должна быть не б лее 0,04 мм. Тепловое сопротив ление корпус - теплоотвод при нанесении теплоотводящей пасть типа КПТ-8 на поверхность теплоотвода транзистора не ботр 0,3 °С/Вт, Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзисторов. Пайку производить при температуре не выше 270 °С в течение времени - не более 3 с. 2Т935А, КТ935А Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-меза-плаиарные п-р-п переключательные. Предназначены для работы в переключателях и импульсных устройствах. Корпус мета.тлокерамический с жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г.
|