Параметр

Буквеииое обозначение

Граничное напряжение. В

Напр-чжени<= иась.щення

колтектор-эмиттер, В з-пря - щения бя-,а эмнттер, В чсский коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

т = 25 °С

т = 125°С 2Т935А

r = -GO°C 2Т935А Модуль коэффициента пе-педачи тока на высокой частоте (f = 30 МГц) Время включени.-* мкс

Время выключения*, мкс

Емкость коллекторного перехода (f=l МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода* (/=1 МГц), пФ Обратный ток коллектор - эмиттер (Ябэ=10 Ом), мА:

Гк = Гк min 25 °С

Тн- Гк mas

Обратный ток эмиттера, мЛ

Значение

Режим измерения

КЭО гр КЭ иас бэ иас

/19 1 э I 213 I

вкл выкл

I О ! , 7

О, 75 1,3*

1 ,7

100 150 100

О, 25 0.7

800 3500

30 60 300

(10)

80 60

15 (3) 15 (3)

15 3

15 1

10 (2) 10 (2)

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Лоэ=10 Ом, Г <100°С) .... 80 В

Импульсное напряжение коллектор - эмиттер (i?o,)=10 Ом, т 50 мкс, Тф15 мкс, QSs20).......... 100 В

Постоянное напряжение эмиттер - база . 5 В

Импульсное напряжение эмиттер - база

(t.,sS50 мкс, Q20)...... 6 В

Постоянный ток коллектора .... 20 А

Импульсный ток коллектора (тл<1 мс,

Q>2)........... 30 А

Постоянный ток базы...... 10 А

Импульсный ток базы (ти1 мс, Q2) . 15 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора з (7- =7- >и-50°С) .... 60 Вт

Температура перехода Температура корпуса:

2Т935А.....

КТ935А . . .

Температура окружающей среды:

2Т935А . ....

КТ935А

150 °С

125 °С 100 С

от -60 °С до Г = 125°С

от -45 °С до 7 =100 С

[В] при Тп от 100 до 150 °С снижается

КЭНтах l J .yj .. ассн ЛИНейно

до 40 В.

* Допускается при включении аппаратуры выброс тока ко.члектора до 50 А .в течение 1 мс, далее ток коллектора спадает до 20 д в течение 2 мс.

При 7 ,;>50С Рктах [Вт] = (7 п-7к)/-г в, It определяется из области максимальных режимов (например, при t/jg =6 В, /к = = 10 А, Rr п, .,= 1.67 °С/Вт).

Прн конструировании схем следует учитывать возможность самовозбуждения транзисторов за счет паразитных связей. Крепление к панелям осуществлять с помощью гайки. Осевое усилие на вннт должно быть ие более 120 кг Допускается пайка паяльником, нагретым до Е50 °С, в течение 3 с на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора. Допускается пайка в торец винта корпуса. Время пайки не более 20 с.

1.2 0,6

а,в о.в 1,0 Wg.B

120 700

80 60 40 20 О

21Э

4- 8 12 li.fl

11нэНтах.0 700

0,01 0,1 1 10 /fjj./rAr

ш zoo

о 20 40 60 Uifg,B

2 <

6 /<

10° 10 80Ukj,B

КТ936А, КТ936Б

транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-адьные. Предназначены для применения в широкополосных лиией-

усилителях мощности в герметизированной аппаратуре. J, бскорпусные, выпускаются в двух конструктивных исполнениях [/.бсткнмн выводами: КТ936А - иа круглом крнсталлодержателе, 1зЗбБ -на прямоугольном крнсталлодержателе с диодом-датчиком мпературы. Масса транзистора КТ936А не более 0,2 г, КТ936Б ие

Зак. 225