Таблица 3-10

Из табл. 3-10 видно, что наи.меньших потерь можно достичь с транзисторами ГТ403И однако это требует параллельного включения громадного числа транзисторов. Функция потерь от числа п имеет очень пологий минимум, практически при.кодится применять значительно меньшее число параллельно соединенны.х транзисторов, чем ttoht. Для П210В, например, включение параллельно 24 транзисторов уменьшает потери ib 2,9 раза, а включение параллельно только !пяти транзисторов уменьшает потери уже в 2,24 раза по сравнению с потерями при одно.м транзисторе. При этом потери в пяти транзистора.х П210В только иа 47% больше, че.м минимальные потерн на транзисторах ГТ403И при Попт==176, поэтому для данного случая можно рекомендовать применить транзисторы П210В по 5 шт. параллельно.

0,16

0,08 0,04

0,4 0,8

1.2 1

0,34 0,30 0,26 0,22

20 25 Н

0,4 I

0,S 1,2

15 20 25 Н

Рис. 3-6. Зависимости межэлектродных напряжений транзистора П210А в режиме насыщения от / и k.

Рис. 3-7. Токи закрытого транзистора П210В.

0,24 0,20 0,1В 0,tZ 0,08

(7,rS

0,iZ 0,08 0,04

0,5 1,0

/<5

2,0 Й

Рис. 3-8. Характеристики транзисторов П210.

0,08

О 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 а

0,7 0,6 0,5 0,4 0,3

О 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 А

1С 15 20 В

Рис. 3-9. Зависимости межэлектродных напряжений транзистора ГТ403И в режиме насыщения от /к.

Рис. 3-10. Токи закрытого транзистора ГТ403И.

о, го

0,10 0,12 0,0д 0,04

0,12 0,08 0,0 V

0 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 fl

Рис. 3-11. Характеристики транзистора ГТ403И. [72

10 15 го 25 30

го гз 30 а-

Рис. 3-12. Зависимость межэлектродных напряжений транзистора ГТ402Б в режиме насыщения от / .

в о,го

0,12 0,08

0,04-

0,16 0,12

0,08 D,Of

0,05 0,10 0,15 0,20 а

Рис. 3-13. Характеристики транзистора ГТ402Б.

15 20 25 30

О 0,25 0,50 0,75 1,00 й

Рис. 3-14. Зависимости межэлектродных напряжений транзи- л стора 2Т803А от /к-

0,8 0,1 0,6

О 0,2 0,4 0,6 0,8 А

5 -0,2

Рис. 3-15. Токи за- о крытого транзистора 2Т803А.

6 В