Типовая мощность трансформатора в схеме рис. 1-4,6. примерно на 20% больше, чем в схеме рис. 1-4,а, пз-за-выполнения вторичной обмотки трансформатора со средней точкой. Это обстоятельство приводит к большим потерям в трансформаторе.

Статические потери в транзисторах (при-одинаковом напряжении на нагрузке) в схеме рис. 1-4,6 больше, чем-в схеме рис. 1-4,а, из-за примерно вдвое больших потерь на закрытом транзисторе.

Однако общие потери, а следовательно, и к. п. д. этих схем примерно одинаковы. Это объясняется тем, что

Однотрансформаторные преобразователи с обратной связью по току с уменьшенными напряжениями на закрытых транзисторах.

некоторое увеличение потерь в трансформаторе и статических потерь в-транзисторах схемы рис. 1-4,6 компенсируется несколько большими коммутационными потерями-в транзисторах и потерями в диодах схемы рис. 1-4,а.

На рис. 1-8 приведены однотрансформаторные схемы-с обратной связью по току нагрузки с уменьшенными напряжениями на закрытых транзисторах [Л. 17-19].

В этих схемах напряжения на переходах эмиттер - база и коллектор - база закрытого транзистора сравнительно малы, не зависят от напряжения на нагрузке-и выбираются лишь из условий надежного запирания транзисторов в преобразователе.

Уменьшение напряжения на закрытых транзисторах: достигается разделением вторичной обмотки трансформатора на основную и управляющую с малым числом витков и включением управляющей обмотки между базами транзисторов. При этом независимо от напряжения

2-561 IT

иа нагрузке напряжения на переходах эмиттер - база и коллектор - база закрытого транзистора будут равны:

Uq,Uo; U.qUo+2U (1-11)

.где fyo0,5-l,5 В - напряжение управляющей обмотки.

Поскольку напряжение на управляющей обмотке существенно меньше напряжения на нагрузке, наличие управляющей обмотки практически не увеличивает типовую мощность трансформатора.

Принцип действия этих преобразователей не отличается от рассмотренного принципа действия преобразователя на рис. 1-4. Коммутация транзисторов также юсуществляется при насыщении магнитопровода трансформатора, и, следовательно, последний работает с максимальной индукцией, равной индукции насыщения.

В схеме рис. 1-8,а ток базы открытого транзистора Ti замыкается по контуру: переход эмиттер - база Гь управляющая обмотка Шо, основная вторичная полуоб-мотка W2, диод Дг, нагрузка преобразователя Ri, источник питания. Диод Д1 закрыт суммарным напряже-лием управляющей и основной вторичной обмоток.

Напряжение на нагрузке

UUo-i-U+Uu (1-12)

тде U2 - напряжение на вторичной полуобмотке. Напряжение на закрытом транзисторе

иэио; 6Kt/o+2t/,. (1-13)

Обратное напряжение на закрытых диодах

U.o6p2U2+Uo. (1-14)

В схеме рис. 1-8,6 ток базы открытого транзистора Т) замыкается по контуру: переход эмиттер - база тран- зистора Г), управляющая обмотка Wq, диод Д2, основная вторичная обмотка Шг, диод Дз, нагрузка преобразователя, источник питания. Диод Дх заперт суммой напряжений управляющей и основной вторичной обмоток. Диод Д4 закрыт напряжением основной вторичной об-

.мотки.

Напряжение на нагрузке

t/Ht/o+[/,+t/2. (1-15)

Напряжения на закрытом транзисторе

Uq.Uo; f/6K=t/o+2[/,. (1-16)

я 8-

Обратное напряжение на закрытых диодах Д,. (или Дг)

д.обр==/2+/о.

Обратное напряжение на закрытых диодах Дз (или Да)

U .o6vU2. . (1-17)

В схеме рис. 1-8,в ток базы открытого транзистора Т\ замыкается по контуру: переход эмиттер - база Т\, управляющая полуобмотка Шо, нагрузка преобразователя /?н, диод Д\, основная вторичная обмотка w, диод Дз, первичная полуобмотка W\, соединенная с закрытым в данный полупериод транзистором Гг. Диод Д4 заперт суммой напряжений основной вторичной обмотки и удвоенным напряжением коллекторной полуобмотки Wx. Диод Дч закрыт напряжением основной вторичной обмотки.

Напряжение на нагрузке

t/Hf/o+2f/i+t/2. (1-18)

Напряжения на закрытом транзисторе

U62Uo; t/6K2t/o + 2t/,. (1-19)

Обратное напряжение на закрытых диодах Д, (или Дг)

Ur,.o6pU2. (1-20)

Обратное напряжение на закрытых диодах Дз, (или Д4)

f/ .o6pt/2 + 2t/i. (1-21)

Отметим, что использование напряжения Ui первичной полуобмотки wi трансформатора, соединенной с запертым в данный полупериод транзистором, позволяет, особенно при малых коэффициентах преобразования входного напряжения kn-(JnlUu значительно уменьшить число витков основной вторичной обмотки трансформатора. При этом уменьшаются типовая мощность, размеры и потери трансформатора.

Коэффициент полезного действия преобразователей рис. 1-8 примерно одинаков, а характеристики аналогичны характеристикам схем рис. 1-4 (рис. 1-5).

Типовые мощности трансформаторов преобразователей рис. 1-8,6, в отличаются мало и примерно на 20% меньше типовой мощности трансформатора преобразователя рис. 1-8,а.

Если габариты преобразователя не играют особой роли, то наиболее целесообразно применять схему рис. 1-8,а, имеющую вдвое меньше диодов.

2* 19