Главная >  Очерк развития радиотехнологии 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 [ 32 ] 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204

Подставляя в последнее выражение Q= =i-, после сокращений получим часто встречающуюся формулу

./=~- (18.111)

Следует отметить, что контур I вида находит очень широкое применение в качестве нагрузки, включаемой в анодной цепи электронной лампы, в частности, в усилителях высокой частоты. Применение такого онт;>фа в качестве нагрузки (вместо активного сопротивления) сильно уменьшает влияние на режим работы ступени усиления междуэлектродных ёмкостей лампы, ёмкости монтажа и других паразитных ёмкостей. Эти ёмкости оказываются подключёнными к контуру параллельно, что только незначительно увеличивает его ёмкость; требуемое сопротивление нагрузки обеспечивается; шунтирующее действие паразитных ёмкостей практически устраняется.

Принимая во внимание ф-лу (17.И1), выражение (16.1И) можно переписать в виде

=.ЛР-е (19.111)

Вторым частным случаем является так называемый контур II вида, показанный на рис. 26.III, характеризующийся тем, что в левой ветви его отсутствует ёмкость, т. е Ci-теи = 0.

Тогда ф-ла (19.111) примет вид

Кп =К:Р- (20. Ill)

Ввиду того, что р<1, сопротивление контура II вида всегда меньше сопротивления контура I вида, имеющего те же значения параметров L, С, г при последовательтюм обходе контура.

Третьим частным случаем является контур III вида, показанный на рис. 2e.III. Он характеризуется тем, что в левой ветви его отсутствует индуктивность, т. е. Li = 0; при этом р=0 и расчётной формулой для определения сопротивления, получаемой из ф-лы (19.III), будет

Так как сопротивление контура III вида так же, как

и сопротивление контура II вида, всегда меньше сопротивления контура I вида, имеющего при последовательном обходе контура те же значения индуктивности, ёмкости и активного сопротивления.

Простыми физическими рассуждениями очень легко показать, что сопротивление параллельного контура II и III вида меньше сопротивления контура I вида, если они при последовательном обходе обладают одинаковыми L, С ъ г. Действительно, возьмём



контур I вида, обладающий иа резонансной частоте некоторым сопротивлением R и перейдём от него, например, к контуру II вида. Перенеся часть индуктивности из левой ветви в правую, мы, тем самым, уменьшим сопротивление левой ветви [Шр Li <

< ( ) Z,i+o) L2)]h правой ветви w Z.a--< - А так как

сопротивления обеих ветвей уменьшаются, то уменьшается и сопротивление образованного ими параллельного контура. При этом условие резонанса остаётся выполненным, так как реактивные сопротивления ветвей, оставаясь противоположными по знаку, численно уменьшаются на одинаковую величину шг. Резонансная частота контура практически не изменяется, так как индуктивность и ёмкость при последовательном обходе контура остаются неиз1менными, а изменение активных сопротивлений ветвей почти не сказывается на резонансной частоте. Аналогичными рассуждениями нетрудно объяснить причину уменьшения сопротивления контура при переходе от контура I вида к контуру III вида.

§ 2.1 И. Сопротивление параллельного контура при небольшой

расстройке

Из рассмотрения ф-л (5.III) и (6.III) следует, что для нерезонансных частот активная составляющая сопротивления параллельного контура всегда положительна, так как г всегда положительно, а Xi к Х2 противоположны по знаку; реактивная же составляющая может быть положительной и отрицательной в зависимости от величины и знаков сопротивлений xi и Хг- Когда X положительно, то оно эквивалентно индуктивному сопротивлению, а когда отрицательно, то эквивалентно ёмкостному сопротивлению.

Итак, если контур расстроен относительно частоты питающего его генератора, то сопротивление контура будет комплеконым и изменяющимся в зависимости от величины расстройки. Покажем, что сопротивление параллельното контура и сдвиг фаз между током в питающей цепи и напряжением на контуре при малой расстройке его относительно частоты генератора можно определить достаточно точно при помощи определённых кривых, пригодных почти для всех встречающихся на практике контуров. В смысле своей универсальности они аналогичны частотной и фазовой характеристикам, рассмотренным при изучении последовательного контура (рис. 17.11).

Полагая в числителе ф-лы (3.III) -Xi, выражение для определения приближённого значения сопротивления конт>-ра, приведённого на рис. la.III, примет вид

г + IX

7* 99



Величину x - Xi-\-X2 в знаменателе последней формулы приравнять нулю мы не можем, так как х в случае расстройки может оказаться по збсолютной величич1е больше, чем г. Допустить же, что в числителе Xi по абсолютной величине равно х, можно, так как при несколько разнящихся х и лгз произведение Х1Х2 можно считать приблизительно равным Xi.

Разделив числитель и знаменатель последнего равенства на г и учитывая ф-лу (11.111), полупим

Z =- .

1 I- i -

Из сравнения выражений (42.11) и (59.11) следует, что - - 2Qy, поэтому формулу для Zможно переписать так

Z = ?2 (22.1 II)

Умножая числитель и знаменатель последнего выражения на величину, сопряжённую знаменателю, и производя элементарные преобразования, последней формуле для определения эквивалентного полного сопротивления параллельного контура при небольшой расстройке можно придать вид ф-лы (4.III)

\ = /? + iX,

где активная и реактивная составляющие определяются соответственно по формулам:

R = R-5--, (23.1И)

X~R ---. (24.III)

1 + (2Q#

Выражение для расчёта модульного значения полного сопротивления параллельного контура после подстановки в равенство

= VF + АЬначений R и J,согласно ф-лам (23.III) и (24.III), примет вид

Z =- (25.И1)

/ 1 (2Qyr

На рис. 3.III приведены кривые, показывающие изменения от-R X Z

ношений и н, при изменении произведения добротна ог

ности контура на относительную расстройку (Qy). Расчёт данных кривых произведён на основании ф-л (23.III), (24.III) и (25.111).



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 [ 32 ] 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204