Главная
>
Радитехнология низких температур 3. МНОГОРЕЗОНАТОРНЫЕ ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ Многорезонаторные параметрические полупроводниковые усилители невырожденного типа [3] в значительной степени отличаются от рассмотренных ранее приборов. Это обусловлено наличием в них контура разностной частоты ()2 = о)п-wi, связанного с диодом и в общем случае с нагрузкой. При работе усилителя в режиме на проход с преобразованием частоты с coi на (02 к этой нагрузке подключается следующий каскад, т. е. ее наличие неизбежно. Коэффициент регенерации а является частотно-зависимой величиной, имеющей комплексный вид. Можно 1Показать, что где я = 0-0 - Q2 - нагруженная добротность контура разностной частоты; Ci - емкость. Считаем, что диод представляет из себя емкость, меняющуюся во времени по гармоническому закону. Постоянную составляющую этой емкости, так же как и про-вадимостп потерь диода, различные на частоте сигнала (01 и па разностной частоте 2, отнесем к контурам, в которые включается днод. Для удобства расчетов представим меняюп1уюся во времени емкость в виде матрицы четырехполюсггика общего вида. С этой целью используем известные уравнения, согласно которым для нелинейного конденсатора, работающего в параметрическом усилителе, ореднеквадра-тические величины токов и напряжений для малого сигнала выражаются следующими соотнон1епиями: (5.74) где Сп и С, определяются из комплексного ряда Фурье для мгновенных значений емкости в функции напряже- ния накачки Проведя простейшие преобразования, запишем соотношения (5.74) в матричной форме . (Oi (С - Сд) СО,Со и*2 1*2 Величину Со в дальнейшем положим равной нулю. I, г, ZC, cos uj t Рис. 5.9. Эквивалентная схема параметрического усилителя с двумя дополнительными контурами. Рассмотрим параметрический усилитель-преобразователь с двумя контурами (Z, и Кг) в тракте сигнала (рис. 5.9). Перемножая матрицы отдельных элементов схемы, имеем О у 1 Z. О I 1 о у 2 1 -/ iCi 1 о У\ 1 у*г г.УаУ*, . 1 , .г.Уа -/o).c.z. + y-+/ ; у о)2С.+о)2С. . Уг Если Нагрузку отИести к выходному контуру четырехполюсника, то /2 = 0, и тогда можно записать следующие соотношения: Используя (5.75) и (5.76), получаем (5.76) 4GHGr(to Ci) I К*з (Уа + GrZ.y, + Gp) - (о.согС (1 + GrZ.) 1= Выразим значения сопротивления и проводимостей через добротности резонаторов. При небольших расстройках будем иметь: n = (GH + 3)(l+/Q: 2А(02 0)01 (5.78) (5.79) (5.80) где g2 и gs - активные проводимости ненагружепных резонаторов, обусловленные главным образом потерями в диоде; Qi - внепшяя добротность первогоконтура без учета собственных потерь контура; Q2 - добротность нагруженного второго контура; Qs - добротность нагруженного третьего контура. Поскольку 0)3 = 0)1+0)2, то ,А0)2 = -Awi и >з=(о +&)(1-/о;5-;5). (5.81) Обозначим тогда tOoi <о0 2 K*3=(GH+g3)(l+/Q3E). Произведя соответствующие подстановки, получим (5.82) (5.83) AGnGri.iCxY (5.84) (Ооа Pi 3 = 2 + (С2 2АВ) + - 2CD) 5* + 01 где Л = 1 - а ; г -коэффициент регенерации; °~(g2+Gr) (З+Он) c=Q,+Q,-(s- )Q.; ga Q2i. g2 + Gr Q02 Q ,-собственная добротность второго контура с дио- дом; В коэффициент связи второго контура; Qbh2 в =--коэффициент связи третьего контура; Q 3 - собственная добротность третьего контура. При резонансе (5 = 0) коэффициент усиления приобретает следующий вид: !!lL!i+Lii±i. (5.86) Ао- (1 - о)= Нормированный коэффициент усиления будет Кг (5 87) /<7- A + {C-2AB)i+(B-2CD)l* + DV - 271 - Выражение (5.87) можно использовать для синтеза всей параметрической системы с определенной формой амплитудно-частотной характеристики. В самом деле, при независящем от частоты числителе выражения (5.87) знаменатель представляет собой полином вида F,{l) = \+Bil + B2l4B,f. (5.88) Накладывая определенные условия на коэффициенты этого полинома, можно получить частотную характеристику соответствующей формы. Как уже отмечалось, в многоканальных линиях связи наиболее приемлемой является так называемая максимально-плоская характеристика. Если аппроксимировать такую характеристику по Тейлору, то необходимо потребовать, чтобы производные первого и следующих порядков выражения (5.87) стремились к нулю при = 0. В нашем случае имеет смысл приравнять нулю первые две производные. Следовательно, коэффициенты полинома (5.88) должны быть равны нулю, т. е. С2-2ЛВ = 0, (5.89) В2-2CD=0. (5.90) При совместном выполнении равенств (5.89) и (5.90) частотная характеристика рассматриваемого усилителя имела бы вид максимально-плоской характер1г стики второго порядка. Однако анализ выражений (5.89) и (5.90) показывает, что они представляют несовместимую систему и, следовательно, одновременно не могут равняться нулю. Таким образом, возможно осуществить максимально-плоскую характеристику только первого порядка, т. е. добиться выполнения условия (5.89). Можно показать, что для параметрических систем из четного числа контуров это положение является общим, а для систем с нечетным числом kohtvdob. хотя и имеются решения, позволяющие формально осуществить максимально-плоскую характеристику, целесообразность их технической реализации весьма сомнительна. Поэтому для параметрических усилителей с несколькими контурами максимально-плоская характеристика будет определяться функцией следующего вида: где п - число контуров; Ко - коэффициент усиления при = 0. Однако нужно отметить, что в полосе пропускания усилителя будет иметь место неравенство 5 i5=( -4>5 $ (5.92) и функция Кп {Щ будет иметь вид 1 -f В -,£М -) (5.93) Вне полосы пропускания, при больших расстройках, можно считать, что 5 = - 1 + B k Vf=i (1-в)2 (5.94) Это последнее выражение будет использовано при оценке селективных свойств многоконтурных параметрических усилителей. На основании соотношения (5.92) можно найти общее выражение для полосы пропускания многоконтурных параметрических усилителей. На уровне 3 дб полоса пропускания определяется из условия (5.95) (5.96) так как Так, для усилителя с одним дополнительным контуром полоса пропускания будет следующей: (5.97) На рис. 5.10 представлены характерные кривые, позволяющие найти необходи.мые соотношения между до-18-2175 273 -
|