Главная
>
Структурные схемы станций Электропроигрывающие устройства 25 мН), действующую на грампластинку, и более широкий диапазон воспроизводимых частот (31,5- 16 000 Гц). В головках магнитных звукоснимателей применяются алмазные иглы, срок сужбы которых дпгти1-ае1 1500 Недостатком магнитных звукоснимателей являются низкая чувствительность н практически горизонтальная амплитудно-частотная характеристика, что требует применения корректирующих предварительных усилителей. Кроме того, магиптиыс головки сложны в производстве и дороги. Звукосниматели имеют цветное условное обозначение головок, вставок или рабочих положений переключателя ИГЛ, указанное в табл. 5.9. В соответствии с ГОСТ 18631-73 Электропроигры-ваюшие устройства. Основные параметры. Технические требования по электрическим и эксплуатационным параметрам ЭПУ делятся иа четыре класса: высший, I, II и 1П. В стационарных радиолах и магннторадиолах применяются ЭПУ I, II и III классов. По I классу выпускаются только стереофонические ЭПУ (рис. 5.24), по II классу - стереофонические и монофонические (рис. 5.25), по III - только монофонические. Электропроигрывающие устройства всех классов имеют следующие эксплуатационные удобства: автостоп, микролифт, замыкание электрических выводов звукоснимателя в нерабочем положении иглы или отключение усилителя. Автостопное устройство обеспечивает остановку механизма ЭПУ после проигрывания грампластинки. Механизм автостопного устройства срабатывает от изменения шага ведущей канавки при Переходе иглы зву- Таблица 5.10
косяимателя со звуковых на сбегающую канавку грампластинки любого размера. Микролифт - механизм, обеспечивающий подъем и плавное опускание звукоснимателя .в любом месте записи, а также автоматический и достаточно плавный подъем овукосннматсля при срабатывании авТОСТОПа. Электропроигрывающие устройства 1 класса И отдельные типы II класса кроме того имеют: ВОЗМОЖНОСТЬ подъема и возврата орукосннматсля в исходное положение с любого места грампластинки. В электропроигрывающих устройствах с магнитной головкой звукоснимателя, 1де чувешительность находится в пределах 0,7-1,0 мВ (см/с.К в конструкции Рис. 5.24. Внешний вид стереофонического элгктрппрпигрывающвго устройства 1 ЭПУ 73с Рие. S.2S. Внешний вид элвктриироигрывэющего устройства и ЭПУ-т возможнпеть подстройки частоты вращения 33 об/мин со встроенной визуальной индикацией (стробоскопическое устройство); механизм автоматического возврата звукоснимателя в исходное положение после срабатывания автостопного устройства; возможность регулировки бокового усилия иглы звукоснимателя: регулировку прижимной силы звукоснимателя (давления иглы на пластинку), доступную потребителю; возможность автоматической установки звукоснимателя на начальные канавки грампластинок всех форматов; предусмотрен предварительный усилитель иизкой частоты для усиления и коррекции сигнала стереофонического магйнтного звукоснимателя. Питание ЭПУ осуществляется от сети переменного тока напряжением 127 В с допускаемыми отклонениями питающего напряжения ие более ±10%. Условное обозначенне типа ЭПУ состоит из цифры, обозначающей класс, Оукв ЭПУ и Порядкового номера разработки. Для стереофонических ЭПУ добавляется буква С. Основные технические данные ЭПУ, применяемых в м0.!1рлях радиол, рассмотренных б настоящем сиравоч- . инке, приведены в табл. 5.10. 5А. Интегральные схемы Интегральные схемы - это микроэлсктрониые изделия, состоящие из активных элементов (транзисторов, диодов), пассивных элементов (резисторов, конденсаторов) и соединительных проводников, которые изготавливаются в едином технологическом процессе, электрически соединены между собой, заключены в общий корпус и представляют неразделимое целое. Интегральные схемы (ИС) классифицируются по технологическим принципам изготовления и по функ-циоияльному назначению. По технологии изготовления ИС, применяемые в радиовещательных приемных устройствах, делятся на гибридные и полупроводниковые. Элементы гибридных ИС выполндются в виде пленок, наносимых иа поверхность диэлектрического Материала (подложки), а некоторые из них имеют самостоятельное конструктивное оформление и крепятся к поверхности подложки. Гибридные ИС в зависимости От толщины пленок н методов их нанесения на поверхность диэлектрической подложки делят на толсто-цленочные и тонкопленочные. Элементы полупроводниковых (твердых) ИС выполняются в объеме или иа поверхности полупроводникового материала (подложки). Как гибридные, тяк и полупроводниковые ИС подразделяются по степени интеграции (по числу входящих в, микросхему активных и пассивных элементов) на схемы малой, средней и большой степеней пн-теграции. Обозначения микросхем отражают их принадлежность к определенной серии. Серия объединяет ряд отдельных функциональных схем. Условное обозначение серии состоит из двух элементов. Первый элемент - цифра, указывающая на технологическую разновидность микросхем серии (например, 1-полупроводниковые, 2 - гибридные). Второй влемент - двузначное число, указывающее порядковый номер данной серии. В обозначении микросхем, предназначенных для использования в аппаратуре широкого применения, ставится буква К. Условное обозначение микросхемы состоит из пяти элементов. Первый элемент-буква, указывающая на предназначение ИС для аппаратуры широкого применения. Второй элемент - цифра, указывающая иа териологию изготовления. Третий эле- К2ГС371. Стабилизатор иапряжеиия питания и траи-BHcTopw генератора тока стирания и подмагничнвання. Напряжение питания +9д В. Мощность потребления - ие более 300 мВт. Потребляемый ток - ие более 30 мА. Стабилизированное напряжение 4,4-5,4 В. Полупроводниковая интегральная схема К1УС744Б Интегральная схема предназначена для усиления низкочастотных сигналов и разработана специально
2от8 ФП Рис. 5.41. Габаритный чертеж микросхемы К1УС74* для бытовой радиоаппаратуры (рис. 5.41, 6.42). Микросхема выполнена по плаиарио-эпитаксиальиой технологии. Корпус - прямоугольный пластмассовый. Масса микросхемы 1,5 г. Диапазон рабочих частот схемы 30-20 000 Гц. Номинальная выходная мощность 0,7 Вт. Коэффициент нелинейных искажений при номинальной выходной мощности - менее 2%- Максимальная выходная мощность-более 1,0 Вт. Коэффициент нелинейных искажений при максимальной выходной мощности 10%. Ток потребления прн отсутствии сигнала - ие более 10 мА. Коэффициент усиления по напряжению (измеренный на частоте 1 кГц) 4-40. Напряжение питания 9 В. Сопротивление нагрузки 40 Ом. Рис. 5.42. Микросхема К1УС744 Использование микросхемы типа К1УС744 допустимо только с использованием теплоотвода площадью не менее 20 см. Безотказная работа интегральных микросхем в аппаратуре обеспечивается при строгом соблюдении правил монтажа, исключающих тепловые, электрические и механические повреждения микросхем. Запрещается превышать напряжения питания, входные иапряжеиия и электрические нагрузки, указанные в технической документации иа микросхемы конкретного типа. Пайка микросхем должна осуществляться одножальиым паяльником при соблюдении следующих требований: температура жала паяльника не должна превышать 265 °С; время касания к каждому выводу - ие более 3 с; интервал между пайками соседних выводов-не менее 10 с; расстояние от корпуса до места пайки по длине вывода - не менее 1 мм. Жало паяльника должно быть заземлено. МЕТОДЫ И??МЕРЕНИЯ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ РАДИОВЕЩАТЕЛЬНЫХ ПРИЕМНИКОВ И ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ, НЕОБХОДИМЫЕ ДЛЯ ПРОВЕРКИ 6.1. Измерительная аппаратура для радиоприемников и требования, предъявляемые к ней Генераторы, измерители коэффициента гармоник, частотомеры (волномеры), электронные и стрелочные измерительные приборы Генератор стандартных сигналов с амплитудной модуляцией (ГСС AM); Должен перекрывать диапазон частот 100-25 000 кГц прн точности градуировки ча- стоты ие хуже ±1%. Выходное напряжение должно изменяться в пределах ! мкВ - 1 , В. Погрешность установки опорного напряжения - ие более 10%. Частота внутренней модуляции 400 и 1000 Гц. Коэффициент нелинейных искажений не должен превышать 3% при глубине модуляции m = 90%- Генератор стандартных сигналов с частотной модуляцией (ГСС ЧМ). Должен перекрывать диапазон частот 4-250 МГц. Погрешность установки частоты - не хуже ±1%. Кратковременная нестабильность ча-
|