Я- параметров, а не система Y- параметров. Для характеристики собственно усилительных свойств транзистора без учета влиянии междуэлектродных емкостей, индуктивностей вводов и т. п. мо:кло считать Z- параметры активными сопротивлениями, ,. е. исиоли-зовать г- параметры. Одна из наиболее употребительных эквивалент, ных схем с применением таких параметров приведена на рис. 4- ig g.

Рис. 4-18. Схема транзистора с общим эмиттером (а), его эквив..-лентные схемы (б, в) и соответствующие графы (г, д, е), cxei;; с общей базой (ж) и ее графы (з, и), схема с общим колле1;]о-ром (к) и ее графы (.-г, м).

Сопротивление цепи коллектора / = - значительно больше со-

противлении эмиттера Гд и базы rg, а также реальной нагрз коллекторной цепи, поэтому во многих случаях практики глия-

ние проводимости gK = - пренебрежимо мало и вполне допусткЬО

пользоваться приближенной схемой (рис. 4-18, в).

Пользуясь уравнениями схемы рис. 4-18, б 1==

= /б + /к, Ui = rj5-\-rJ, п уравнением [/о =- л зь-148

виде lK = gUi\-{y. - r,g ) l нетрудно построить граф, изо-боаженный на рис. 4-18, г. Исключая узел I путем вычисления передач между основными узлами If /к. U. получим граф схемы рис. 4-18, б в системе Я- параметров (рнс. 4-18, д). Для упрощенной схемы (рис. 4-18, в) граф (рис. 4-18, е) может быть получен аналогичным путем, либо на основе графа рис. 4-18, д, в котором следует положить g-K===0.

В случае общей базы вместо схемы (4-18, б) получим схему оис. 4-18, ж, для которой действительны аналогичные уравнения /5=:/, + /к, Ui = r,h-\ rsle, lK = gKU.i~-a.I, - r6gJ<, граф которых представлен на рис. 4-18, з. В результате исключения узла h получим граф в системе Я-параметров (рис. 4-18, и).

Аналогичным образом для схемы с общим коллектором (рис. 4-18, к) получим графы рис. 4-18, л, м.

В любой из рассмотренных схем включения транзисторов нетрудно учесть включение сопротивления внешней нагрузки. При этом добавляется уравнение и = - /jZh (где /а - выходной ток) и соответствующая ветвь - Za от /.j к так же, как на рис. 4-17,6, г, е.

Вместо сопротивления можно присоединить к выходу или входу транзистора любой четырехполюсник, представленный в системе Я- параметров, и найти параметры результирующего графа в той же системе параметров по формулам (4-25) - (4-28). Ко входу транзисторной схемы можно каскадно присоединить четырехполюсник в системе Y- параметров и рассчитать эквивалентный граф по формулам (4-29) - (4-32) и т. п. Можно накладывать схему любого линейного трехполюсника на схему транзистора в одной и той же системе параметров. Например, как в ламповом усилителе (рис. 4-17, в, г), можно учесть влияние междуэлектродных емкостей транзистора путем наложения на схему транзистора (рис. 4-18, а) П-образной схемы (рис. 4-14, ж), составленной из соответствующих емкостей. При этом для совмещения графов транзистор и П-образная схема должны быть выражены в одной и той же системе параметров.

В качестве примера найдем коэффициент усиления /С = -,

входное сопротивление Z - --- и выходную проводимость

Такая запись бо.чсс удобна, поско.чьку в испо.чьзуемой ниже системе л-параметров функцией является выходной ток, а не выходное напряжение.

Ограничение рабочего диапазона частот транзистора (до величины 5 с общей базой) можно учесть в первом прпбтажепии п}тем прием выходу (или параллельно Гк в схемах рис. 4-18, б, ж, к) кости Ск соответствующей величины. При этом в выражениях для величин ветвей схем и графов (рис. 4-18, б--л) вместо -= Гк должно фигу-

&

рировать сопротивление --т-

1+;соСкГк

вых=- транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером

ПОЯв-

и и,

(рис. 4-19, а). С введением внешних цепей {Е, Z) ляются два дополнительных уравнения 1$ = {Е ~ Ui)

= /h2 ==~-/kZ , в результате чего граф рис. 4-18, д преоб]:

Рпс. 4-19. Транзисторный усилитель (а) и его граф (б).

зуется в граф рис. 4-19, б. Согласно формуле Мэзона (4-3), передача от Е к Ui равна

02 = = -if =

Входное сопротивление необходимо вычислять при удаленной ветви Re, а. выходную проводимость - при £ = 0 и удаленной ветви

Гак - вых - - -j

Pi =

- р; 1 -а + f;& ~ р. 4 +1 - + г.кУ

Li - - Zh

1я = -

J д - fsgK

Рг 1- + гэ&

(-2 )

1 - а + rg-K

Рз =

1 - а -f- rg-k

1 - + Гэё-к \ Р£ ) 1 - а + rg-K Яц = Гб-1--у-ф- ; =

§ 4-7. Графы усилителей с обратной связью

: я оа = -i-

Гэ§-к 1 - а -f rgg-k

Простейший способ осуществления отрицательной обратной связи по току в дранзисторном усилителе рис. 4-19, а состоит во введении сопротивления в цепь эмиттера (рис. 4-20, а). Для транзистора используем упрощенный граф (рис. 4-18, е), которому