сравнению с R, поэтому приближенной эквивалентной схемой можно считать схему, изображенную на рис. 6-14, в. ! Обе эти схемы (рис. 6-14, б, в) по виду подобны схеме, изображенной на рис. 6-10, в, поэтому относительное влияние индуктивности во всех этих схемах одинаково. Это позволяет использовать кривые рис. 6-11 для учета изменений характеристик коррекций, вызванных введением индуктивностей и L -. При этом в формулах (6-55) и (6-57) вместо R , Се и следует брать соответственно i? ,

(Са 1 Ск) и La (для рИС.6-14,б)

или R, Са и Lk (для рис. 6-14, в).

Эти же характеристики при изменении шкалы частот и Cfs-ответствуюи1,ем изменении схемы

8ых.

I=-SI.L,

Рис. 6-14. Ламповый каскад (рис. Рис. 6-15. Ламповый каскаде кор-

6-13), допо,!1ненный корректирую- ректирующими элементами и

щими индуктивпостямии (а), Сф (а) и его эквивалентная схс-и его эквивалентные схемы для ма (б),

нижней (б) и верхней (в) грапии, области коррекцнн.

И обозначений пригодн!,! для корректирования частотных харак теристик усилителя в области низких частот.

Другой вид коррекции анодного каскада показан на рис. 6-15, а. Семейство характеристик соответствующей цепи рис 6-15, б содержится в приложении 3.

В рассматриваемом случае требуемую характеристику коррекции (рис. 6-12, г) в первом приближении можно получить, используя одну из кривых графика П1-11, приведенного в приложении I для ак.е;,н = 0,1 (- 20 дб в логарифмическом масштабе),

В качестве л, удобно выбрать среднюю частоту участка

коррекции д, =: (4--j-6) fс (рис. 6-12, г). Если предположить, что собственная граничная частота полосы пропускания k-ro каскада, в который вводится корректирующая цеиь RkC, в два раза

больше частоты среза характеристики /Cft (рис. 6-12, а), т. е. равна fc.k = 2fc, то параметр, определяющий частотную характеристику коррекции (см. рис. П1-П в приложении I), равен

[Чо /о (4 ;1: G) / с 2 3

-\-.к /ск Ус

Положим= (средняя кривая графика П1-11) из формулы (6-64) найдем НкЛЯл, после чего из (6-61) и (6-62) нетрудно найти Ск?= 1,25Са.

Выбранная характеристика дает затухание несколько большее, чем необходимое (рис. 6-12, г), особенно на краях области коррекции. Улучшение коррекции может быть обеспечено путем введения корректирую!дих индуктивностей и (рис. 6-14, а). При этом нисходяш.ая ветвь характеристики коррекции (пунктирная кривая на рис. 6-12, г) будет аппроксимирована с точностью до нескольких децибел. Аналогично путем введения индуктивности Lk (рис. 6-14, а, в) может быть улучшена восхо-дяпшя ветвь характеристики коррекции. Более точная коррекция может быть получена, если ввести корректирующие цепи ЬС не в один, а в несколько каскадов, либо применить более сложные цепи коррекции. Однако, учитывая запас но фазе и затуханию, обеспечиваемый исходной характеристикой \ \ (рис. 6-12, а), нет необходимости стремиться к особенно высокой точности аппроксимации кривой ! Ккорр 1 (рис. 6-12).

ПРИЛОМЕНИЕ !

ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕЖКАСКАДНЫХ /С-ЦЕПЕЙ

На графиках П1-1-П1-6 даны характеристики затухания и фазы разделительной сеточной цепи CRg или анодной цепи RaCa РИ наличии корректирующих элементов RkCk (см. рисунки на графиках) в зависимости от безразмерной частоты соответственно = uiCgRa или = ю/?дС .

в качестве параметра выбраны соответственно величины -[ = --т или

- а а причем каждый график (семейство кривых) соответствует оире-

RkCk

деленному значению = 77- или

[а = 1, 2, 4, 8, 16, 32).

На графике П1-7 даны характеристики звена, содержащего цепь RiiCk и сопротивление Rg или емкость Со (см. рисунки на графике). Соответственно параметрами характеристик являются а = илиа = а по оси

Kg Ck

абсцисс откладываются безразмерные частоты = aRjC/i или Q. = tRkCk-На графиках 111-8- П1-11 приведены частотные характеристики коррекции, соответствующие отношению коэффициентов передачи тех же цепей (см. рис. на графике 8) при наличии элементов RkCj, и при их отсутствии, т. е. определяющие только эффект от введения RkCk, причем

VRaCaRkCk 1

либо =

VRCgRuCu

( *)

либо§* = Rn