ного потенциала на базе усилительного транзистора Гу, и его базовый и коллекторный токи увеличиваются. Так как ток коллектора транзистора Гг, равный сумме токов /б1+/ку1-величина постоянная, то увеличение тока /у приводит к уменьшению тока базы регулирующего транзистора Ти Уменьшение тока /ву приводит к увеличению напряжения коллектор -эмиттер регулирующего тран-

+ -o

Рис. 5.16. Схема траизисторио-го стабилизатора со стабилизатором тока в коллекторной цепи УПТ.

Рис. 5.17. Схема транзисторного стабилизатора с дополнительным источником питания для УПТ.

зистора и выходное напряжение уменьшается до своего первоначального значения. Аналогично схема работает при изменении тока нагрузки и регулировке выходного напряжения.

В схеме рис. 5.17 для питания усилителя постоянного тока применен дополнительный источник. Б качестве дополнительного источника используется параметрический стабилизатор на кремниевом стабилитроне. Напряжение дополнительного источника суммируется с выходным (стабильным) напряжением стабилизатора.

Стабилизация напряжения питания усилителя постоянного тока дает возможность уменьшить изменение выходного напряжения At/вых при изменении входного напряжения.

Коэффициенты стабилизации и сглаживания пульсации увеличиваются. Из (5,18), приравнивания ALny, А/н, ALon нулю, находим для схемы рис. 5.17

Кс.-КхКуаа. (5.25)

Коэффициент сглаживания схемы равен приблизительно коэффициенту стабилизации. Внутреннее сопротивление, так же как и для предыдущих схем, определяется из (5.23].

Как было отмечено, ошибка At/вых на выходе стабилизатора в значительной степени зависит от стабильности опорного напряжения (напряжения стабилитрона ДО.

Изменение окружающей температуры приводит к изменению напряжения на стабилитроне. Изменение напряжения стабилитрона зависит от его температурного коэффициента аст. Если коэффициент аст стабилитрона положительный, то при увеличении окружающей температуры опорное напряжение возрастает, что вызывает уменьшение отрицательного потенциала на базе транзистора Ту. Вследствие этого уменьшаются токи базы и коллектора транзистора Ту, увеличивается ток базы и уменьшается напряжение коллектор - эмиттер транзистора Гь что приводит к увеличению выходного напря-}кения стабилизатора (Авых = А1/оп/а).

Для уменьщения изменений выходного напряжения, связанных с изменением окружающей температуры, в схемах предусматривается температурная компенсация.

В схеме рис. 5.17 термокомпенсирующими элементами являются диоды или стабилитроны Дк, включенные в прямом направлении в верхнее плечо делителя. Диоды и стабилитроны, включенные в прямом направлении, имеют отрицательный температурный коэффициент. Увеличение окружающей температуры приводит к уменьшению напряжения на диодах Дк, и напряжение Uru увеличивается, что в результате приводит к снижению выходного напряжения, т. е. изменения выходного напряжения, связанные с изменением напряжения стабилитрона Дь противоположны по знаку изменениям выходного напряжения, связанным с изменением напряжения на компенсирующих диодах Дк. Если эти два температурных изменения сделать равными, то результирующее отклонение будет близко к нулю. Такая температурная компенсация возможна, если температурный коэффициент стабилитрона Д1 положительный. Если же температурный коэффициент стабилитрона отрицательный, то в одно из плеч делителя включается термозависимое сопротивление, которое и обеспечивает температурную компенсацию.

Сравнивая схемы рис. 5.12, 5.16, 5.17, необходимо отметить, что наибольший коэффициент стабилизации имеет схема с дополнительным стабилизированным источником питания. Коэффициент сглаживания во всех рассмотренных схемах равен приблизительно коэффициенту стабилизации. Внутреннее сопротивление всех схем приблизительно одинаково.

+ -о

Рис. 5.18. Схема транзистррио- Рис. 5.19. Схема включения со-го стабилизатора иа низкие ставного регулирующего тран-выходные напряжения. зистора.

На схемах рис. 5.12, 5.16, 5.17 источник опорного напряжения включен в цепь эмиттера усилительного транзистора Ту. Напряжение коллектор - эмиттер транзистора Ту равно разности f/вых-f/on. Из этого следует, что для обеспечения необходимого напряжения коллектор-эмиттер транзистора Гу необходимо, чтобы выходное напряжение в рассмотренных схемах всегда было больше опорного напряжения. Для получения малых выходных напряжений ({/еых<{/оп) и в случае, если требуется широкая регулировка выходного напряжения, применяется схема рис. 5.18. В этой схеме источник опорного напряжения подключается к плюсовой шине стабилизатора, а сравнивающий делитель R\, Rn, Rz подключен на суммарное напряжение (/вых+/оп). При изменении выходного напряжения изменяются напряжение Uru на нижнем плече делителя, потенциал базы транзистора Гу, а следовательно, напряжение база - эмиттер регулирующего транзистора Ti. Изменение напряжения база- эмиттер транзистора Ti вызывает изменение напряжения на его коллекторе и выходное напряжение возвращается к своему первоначальному значению.