дем значение напряжения U, при котором мощное! >ассеиваемая на транзисторе Ti, будет максимально Максимум мощности будет иметь место при б;

- (Ubx max-Uвых) 12.

Максимальное значение мощности, рассеиваемой транзисторе Т

-Ub

им Т {

Рис. 5.25. Схема стабилизатора напрялсения в интегральном испо ; неиии.

Из этого выражения видно, что в отличие от схем-рис. 5.17 максимальная мощность рассеивается на тра;;-зисторе Ti при номинальном входном напряжении.

Рассеиваемая мощность приблизительно в 2 ра. меньше, нежели в схеме на рис. 5.17. Размеры радиак,-ра для регулирующего транзистора в этой схеме мог\ быть уменьшены почти в 2 раза, что. особенно важно iip-больших мощностях рассеяния.

Необходимо отметить, что КПД этой схемы несколько меньше КПД схемы рис. 5.17, так как в ней примечены два регулирующих элемента.

В параллельных стабилизаторах последовательно с регулирующим транзистором включается сопротивление, что также ведет к снижению рассеиваемой на нем мощности.

Стабилизаторы в интегральном исполнении выполняются па основе полупроводниковой планарной технологии в объеме кристалла кремния. На рис. 5.25 изображены схема интегрального стабилизатора и один из спосоЗоз его включения.

В качестве регулирующего элемента в интегральном стабилизаторе !1спользуется составной транзистор Ti, Tz-

Источником опорного напряжения являются параметрический стабилизатор, выполненный на стабилитроне Д1 и полевом транзисторе Ти Транзистор fi в схеме используется как параметрический стабилизатор для стабилизации тока стабилитрона Дь Опорное напряжение со стабилитрона Д1 поступает на вход эмиттерного повторителя, выполненного на транзисторе Г5 и резисторах Ru R2.

На вход TpniisriCTOpa Те подается постоянное стабилизированное напряжение с резистора R2 и термокомпенси-рующего диода Дг.

Транзистор Те включен по схеме амиттерного повторителя, нагрузкой которого является резистор /?з. Напряжение на резисторе R3 иостояаяо и равно напряжению на резисторе R2. Усилитель постоянного тока выполнен на транзисторах Tj и Гг. Полевой транзистор Гг является коллекторной лагрузкой транзистора Tj. Полевой транзистор Гг имеет большое дифференциальное сопротивление, за счет чего повышается коэффициент усиления усилителя постоянного тока я уменьшается влияние изменений входного напряжения на выходное, как в схеме рис. 5.16.

Для защиты стабилизатора от короткого замыкания и перегрузок в схему включен транзистор Гд. В схеме предусмотрена возможность включения стабилизатора внешним сигналом. Для этой цели в схему включен транзистор Ts.

Для работы интегрального стабилизатора необходимо подключить к схеме делитель обратной связи Rs, R9, выходную емкость Сн и резисторы схемы защиты Rs-R.7.

Принцип действия схемы рис. 5.25 заключается в следующем. При изменении входного напряжения, например увеличении, в первый MOiMCiir увеличивается выходное напряжение. Увеличивается напряжение t/лэ на нижнем плече делителя R. Увеличивается положительный потенциал на базе транзистора Г?, и его базовый и коллек-орный токи тоже увеличиваются. При уменьшении токов 1J-8S8

базы транзисторов Гз, Г4 они запираются, и напряжение-коллектор- эмиттер транзистора Г4 возрастает.

Увеличение напряжения коллектор - эмиттер тран зистора Ti приводит к уменьшению выходного напряжения до первоначального значения. Регулировка выходно го напряжения осуш,ествляется в схеме переменным резистором Rg.

Принцип действия заш,иты стабилизатора от короткого замыкания и перегрузок основан на запирании составного регулируюпхего транзистора. В нормальноы режиме и при небольших перегрузках ио току, когда напряжение на резисторе Rt (датчике тока) меньше напряжения на резисторе R5, база транзистора Гд имеет отрицательный потенциал по отношению к его эмиттер) и транзистор Гд закрыт. При значительных перегрузках и при коротком замыкании возрастает напряжение на резисторе Rt. Как только напряжение на резисторе превысит напряжение на резисторе Rs, потенциал базы транзистора Тд станет положительным по отношению к его эмиттеру, транзистор Тд открывается, его базовый и коллекторный токи увеличиваются. Увеличение коллекторного тока транзистора Тд приводит к уменьшению токов базы транзисторов Тз, Г4, они запираются, что вызывает ограничение тока в цепи нагрузки.

Как видно из принципа действия схемы защиты, ток нагрузки, при котором происходит срабатывание, зависит от сопротивления резистора Rt. Чем меньше сопротивление резистора Rj, тем при больших токах нагрузки срабатывает схема защиты.

На рис. 5.26 изображена зависимость выходного напряжения от тока нагрузки стабилизатора. Как видно из рис. 5.26, схема работает в режиме стабилизации напряжения до значения тока нагрузки /h=/i. При токах нагрузки, превышающих значение h, начинает работать схема защиты и стабилизатор переходит в режим ограничения тока.

Для дистанционного выключения стабилизатора па базу транзистора Ts (клемма 9) подается внешний положительный сигнал. Транзистор Та открывается, запирается составной регулирующий транзистор Гз, Г4 и напряжение на выходе стабилизатора уменьшается до нуля.

Промышленность выпускает стабилизаторы в инте.г--)альном исполнении типов К142ЕН1А, К142ЕН1Б, КН142ЕН2А, КНМ2ЕН2Б. На выходе микросхем перво-