ток /д2 меняет знак. Амплитуда отрицательного выброса тока дпода не превышает величины, равной

В момент времени ti коллекторный ток транзистора станет равным Lmin ==I-imm , напряжение кэ1 уменьшится до напряжения насыщения [/кэнас, а ток в диоде Дг упадет до нуля.

В интервале времени /г-ток коллектора li возрастает (дроссель Др1 заряжается), ток диода Дг равен обратному току, напряжение кэ1 равно напряжению насыщения LKanac, а напряжение на диоде ид2 - входному Lbx.

В момент 4 на базу транзистора 7i подается запирающее напряжение, ток базы Тх меняет свое направление, а ток коллектора начинает уменьшаться с задержкой на время рассасывания избыточной концентрации неосновных носителей в базе.

Как только ток коллектора Тх уменьшится, ЭДС самоиндукции дросселя меняет знак, что приводит к включению диода Дг. Напряжение на диоде Дг падает до нуля, а напряжение и кЭ1 возрастает до значения входного напряжения i/вх. Переход транзистора Тх из насыщенного состояния в режим отсечки осуществляется за время выкл, значение которого зависит от частотных свойств транзистора и от тока базы /б1з. В интервале запирания напряжение ыэ! максимально и равно Lbx.

Так, /в1з в основном зависит от внутреннего сопротивления запирающего источника, так как в интервале рассасывания эмиттерный переход Тх представляет собой весьма небольшое сопротивление.

В момент времени t ток ji уменьшается до значения, равного приблизительно /кбо, а ток гд2 увеличивается до

В интервале t-ts ток коллектора равен /rbo, ток диода уменьшается, напряжение кэ1 =Ubx, а напряжение на диоде минимально. Начиная с момента времени ts процесс повторяется.

Мощность, рассеиваемая транзистором в режиме переключения Р, состоит из трех составляющих: мощности, рассеиваемой в режиме отсечки Роте; мощности, рассеиваемой в режиме насыщения Р ас, и мощности, рассе-ВДаемой транзистором в активной области,-мощности переключения Рпер.

Значения составляющих Роте, Рнас, Рпер ОПредСЛЯЮТС из следующих выражений:

о.с=вхКБо(1-Т); Рц.с КЭнас Кнас У Рпер ~ тах {1кч + выкл) fJi

Рк1 ~ Роте ~Ь Prsc Рпер

где /кБО~ Обратный ток коллектора транзистора кэнас -напряжение коллектор - эмиттер транзисто ра в режиме насыщения; I jmax - максимальный кол лекторный ток; /вкл, /выкл, /о - время включения, врем;-выключения и частота переключения транзистора; у - относительное время открытого состояния транзистора {кэнас -напряжение коллектор - эмиттер транзисто ра в режиме насыщения.

При малых /кБо суммарная мощность определяется

в основном составляющими Рнас и Рпер-

Величина Рнас в основном зависит от относительного времени открытого состояния у, тока 1цтах и остаточного напряжения {/кэнас . В стабилизаторах напряжения величина у зависит от отнощения выходного и входного напряжений. Чем больше Ubx, тем меньше значение у и

меньше Рнас-

Соста вляющая Рпер зависит от частотных свойств транзистора, а именно от времени его включения вкл и времени выключения выкл, от значения входного напряжения Ubx, максимального тока коллектора Imax и частоты переключения /о. Чем выше граничная частота транзистора, тем меньше вкл, выкл и тем меньше мощность.

При использовании низкочастотных транзисторов максимальная частота переключения /о ограничивается

мощностью Рпер.

На входе фильтра импульсного стабилизатора напряжение имеет форму прямоугольных импульсов с амплитудой, равной входному напряжению стабилизатора Ubx. Амплитуда первой гармоники напряжения на вхоле фильтра зависит от относительного времени OTKpbiTorj состояния регулирующего транзистора у и имеет максимум при 7 = 0,5, что следует учитывать при определен L- и С-фильтра. Амплитуда пульсации выходного напряжения также имеет максимум при у=0,5.

Запирание регулирующего транзистора в схемах осуществляется подключением к переходу база -эмиттер источника запирающего напряжения обратной полярности. На рис. 5.31 изображены три различные схемы запи рания регулирующего транзистора Г]. Транзистор Т, запирается за счет подключения к переходу база -эмит-

1±

зап

San

Ьэ о-

Рис. 5.31. Схемы запирания регулирующего транзистора.

а -с делителем на сопротивлениях; б - со стабилитроном; в-с автономным источником.

тер источника положи-тельной полярности. В схемах рис. 5.31, а б таким источником является заряженная емкость, а в /ii схеме рис. 5.31, s - автономный источник.

На рис. 5.32, а изображены графики напряжений на конденсаторе Сзап и транзисторе Гд, а также график тока гкз. поясняющие принцип действия схемы рис. 5,31, а. До момента времени ti регулирующий транзистор Ti находился в открытом состоянии.

Рис. 5.32. Графики токов и напряжений транзистора Tz и конденсатора

Сзап.

?ГГ схемы на рис.