через делитель Ri, R2 протекал ток его базы, напрял;, ние на конденсаторе Сзап равнялось напряжению па l-противлении Ri (полярность на обкладках показана t схеме рис. 5.31,а).

В момент времени ti открывается транзистор Т2 конденсатор Сзап подключается к переходу база - Элгл тер транзистора Ти Конденсатор подключается плюсом базе Гь а минусом - к его змиттеру.

В интервале ti-/2 рассасываются неосновные носит-, ли в базе регулирующего транзистора Гь В интс; вале рассасывания сопротивление база - эмиттер j мало и через переход течет большой ток, равный /бь -/к2 а- В иктерзале ti-/2 транзистор Г2 работает линейном режиме и его коллекторный ток равен /кг ,? = h-2\32 /б2 , а напрях<ение Ытэг ==Мз9п- Напряжеиг коллектор - эмиттер Г2 в этом интервале падает за сч, разряда конденсатора Сзап током Iomax В момент транзистор Ti закрывается, ток коллектора Гг уменьш.*: ется до величины /кг й транзистор Г2 входит в режим в сыщения. Напряжение эг скачкОхМ уменьшается до ii пряжения насыщения.

В интервале /2-tz транзистор Гг насыщен н величин его коллекторного тока определяется сопротивлением р.-зистора R2. Ко!1денсатор Сзаи в этом интервале разряжг ется в основном на сопротивление резистораВ momci. гз транзистор Гг закрывается, а Ti открывается хеком базы, протекающим через цепочку Ri, R2, Сзап- В кр тервале is-/4 конденсатор Сзап заряжается, напряжеш; растет. Начиная с момента времени Ц процесс повтор; ется.

Недостатками такой схемы запирания являются; з? висимость запирающего напряжения от входного напр;, жения стабилизатора; шунтирующее действие резистор; Ri в интервале разряда конденсатора Сзап, что привод!; к необходимости значительно увеличивать емкость ко;

ДеНСаТОра Сзап-

Сказанные недостатки устранены в схеме запиран. рис. 5.31,6. В ней вместо резистора используются стаб; литрон Д1 или диоды, включенные в прямом направл-НИИ. Так как напряжение на стабилитроне Д1 мало с меняется при изменении тока, амплитуда запираюше! напряжения мало зависит от величины входного п пряжения стабилизатора.

Кроме того, при разряде конденсатора напряженг-

ла стабилитроне уменьшается, что приводит к увеличе-ць-ю его сопротивления и соответственно к уменьшению разрядного тока конденсатора. Уменьшение разрядного тока позволяет уменьшить величину емкости конденсатора Сзап. На рис. 5.32,6 приведены графики кэ2 (0. JK2(0. зап(0 для этой схемы.

в стабилизаторах, рассчитанных на относительно большие токи нагрузки, из-за большого запирающего

Л + й Т

Ф и,

- Sua

Рис. 5.33. Схема импульсного стабилизатора с ШИМ.

тока приходится применять автономный источник запирающего напряжения (рис. 5.31, е). В этом случае для ограничения тока в цепь коллектора Гг включается резистор Rz. Токи и напряжения коллектора Га в этом случае будут иметь форму прямоугольных импульсов.

в интервале рассасывания зарядов в базе транзистора Ti имеет место выброс тока коллектора Гг, равный Waan/Ra.

На рис. 5.33 изображена схема стабилизатора с ШИМ. Стабилизатор состоит из регулирующего транзистора Гь фильтра (Дри Сн, Дг), схемы запирания (Гг, Ri, Rs, Cl) и усилителя постоянного тока (Гз, R2)- Управление стабилизатором осуществляется пилообразным сигналом, поступающим от автономного генератора. Пилообразный сигнал, выделяющийся на резисторе 3, сравнивается с напряжением на резисторе R2, который включен в коллекторную цепь транзистора Гз. Если пилообразное напряжение на резисторе Rs превышает напряжение на резисторе R2, то потенциал базы транзистора Гг относительно его эмиттера будет положительный, транзистор Гг будет закрыт, а транзистор Ti открыт. В интервале времени, когда напряжение на резисторе Rz меньше напряжения на резисторе R2, Гг открыт, а Г, закрыт.

Ha рис. 5.34 изображены графики напряжений на резисторах /?2, --3, на входе фильтра в точках АВ (см рис. 5.33), поясняющие !финцип действия схемы.

Выходное напряжение стабилизатора делится делите лем напряжения и сравнивается с напряжением стабилитрона Дь Сигнал разности усиливается усилителем

постоянного тока.

При изменении выходного напряжения, например увеличении, увеличивается положительный потенциал на базе транзистора Гз, его базовый и коллекторный токи и напряжение на резисторе R2 до значения ид. . Как видно из рис. 5.34, увеличение напряжения Ия2 приводит к уменьшению времени закрытого состояния транзистора Гг и открытого состояния транзистора Гь Дли-входе фильтра уменьшается, а

Рис. 5.34. Графики, поясняющие принцип действия схемы на рис. 5.35.

тельность импульса на

период остается неизменным. Среднее значение выходного напряжения уменьшается до своего первоначального значения.

Схема релейного стабилизатора изображена на рис. 5.35. В качестве импульсного элемента в релейном стабилизаторе используется триггер на туннельном диоде и транзисторе (рис. 5.36,а).

В триггере туннельный диод включен параллельно переходу база - эмиттер транзистора Г4, что позволяет получить на входной характеристике триггера участок с отрицательным сопротивлением.

Построение входной характеристики триггера осуществляется сложением входной характеристики транзистора Г4 при напряжении на его коллекторе, равном нулю, и характеристики туннельного диода. Сложение осуществляется по оси токов (рис. 5.36,6).

Триггер управляется током. При увеличении входного тока триггера сверх lymax напряжение на его входе скачком возрастает до значения, большего U jmax Так же скачком увеличиваются токи базы и коллектора транзистора Г4. При уменьшении входного тока триггера до значения, меньшего I ттт , напряжения на входе тригге-