ются суммарные ампер-витки обмоток смещения и уп-равления, что вызывает увеличение индукции By. личение индукции By приводит к уменьшению времени насыщенного состояния сердечников и напряжения нз первичной обмотке трансформатора.

Магнитный усилитель с самонасыщением можно эквивалентно представить в виде ключа. Замкнутому состоянию соответствует интервал, когда сердечник ШЪ насыщен. Время замкнутого состояния ключа изменяется в зависимости от изменения суммарных ампер-витков обмотки управления и смещения. Увеличение тока управления вызывает уменьшение времени замкнутого состояния ключа и напряжение на первичной обмотке трансформатора уменьшается.

Обмотки управления МУ в схеме рис. 5.41 включены последовательно с транзистором Гу. Обмотки см,ещения МУ питаются от выходного напряжения стабилизатора через резистор /?см.

Лри изменении выходного напряжения стабилизатора, например увеличении, увеличивается напряжение на резисторе R2, что приводит к увеличению отрицательного потенциала на базе транзистора Гу и его базового и коллекторного токов. В результате увеличивается ток в обмотках управления магнитного усилителя, что вызывает увеличение суммарных ампер-зитков обмоток управления и смещения, а следовательно, уменьшение времени насыщенного состояния сердечников МУ,

Напряжение на обмотках трансформатора уменьшается и выходное напряжение стабилизатора возвращается к своему первоначальному значению.

Достоинствами такой схемы являются достаточно большой коэффициент стабилизации и высокий КПД.

Стабилизаторы данного типа находят широкое применение, когда требуется получение относительно больших токов нагрузки (от единиц до нескольких десятков ампер).

Недостатками таких схем являются искажение формы напряжения на зажимах первичной и вторичной обмоток, что вызывает увеличение коэффициента пульсации на выходе выпрямителя, и необходимость увеличения индуктивности обмотки дросселя Др1 и емкости конденсатора фильтра.

На рис. 5.42 изображена схема транзисторного регулятора, включенного в цепь переменного тока. Посколь-

KV транзистор является однонаправленным элементом, в цепях переменного тока его включают через диоды Дх- д4, которые обеспечивают прохождение переменного тока через первичную обмотку трансформатора Грг, при этом ток через транзистор не меняет своего направления.

К схеме

Рис. 5.42. Схема трачзисторного регулятора напряжения.

Как видно из рис. 5.42, ток первичной обмотки трансформатора Tpz в один полупериод протекает через диоды Дг, Дз и транзистор Тх, а в другой -через Дь Д4 и Тх. Ток через транзистор Тх имеет пульсирующий характер, но не меняет своего направления.

Применение трансформатора Трх в схеме рис. 5.35 необязательно и вызвано необходимостью гальванической развязки между сетью и регулирующим элементом стабилизатора. Кроме того, применение трансформатора Трх позволяет использовать в схеме транзисторы с небольшими рабочими напряжениями.

Транзисторные регуляторы в цепях переменного тока находят применение в высоковольтных .транзисторных стабилизаторах. Схема высоковольтного стабилизатора приведена на рис. 5.43.

Стабилизатор состоит из двух силовых трансформаторов {Трх, Tpz); схемы умножения напряжения {Сх- Q, Дэ-Д12), измерительного выпрямителя (Д13--Д1б), сравнивающего делителя {Rx, Rn, R2), усилителя постоянного тока (Ту, 7у); параметрического стабилизатора (Rn, Дв, Rt2, Дт, Дв), являющегося источником опорного напряжения, и регулирующего элемента {Дх-Дь

Ti), включенного в цепь первичной обмотки трансформатора Тр2.

В схеме с целью разделения высоковольтной цепи с цепями управления напряжение обратной связи снимается с измерительного выпрямителя, который питается от низковольтной обмотки трансформатора Тр2-

Рис. 5.3. Схема высоковольтного стабилизатора с транзисторньп регулятором в цепи переменного тока.

Принцип действия схемы заключается в следующем. При увеличении напряжения сети в первый момент увеличивается напряжение на выходе схемы умножения и на выходе измерительного выпрямителя. Это вызывает увеличение напряжения на нижнем плече сравнивающего делителя, которое сравнивается с опорным напряжением (Jon- Уменьшается отрицательный потенциал на базе транзистора Гу, а отрицательный потенциал на базе транзистора Г увеличивается. Это вызывает уменьшение базового и коллекторного токов транзистора Г и увеличение базового и коллекторного токов транзистора Гу, Увеличивается напряжение на сопротивлении

у, что вызывает уменьшение отрицательного потенциала на базе регулирующего транзистора Tj и приводи!